第六章单元测试
- 下列硅二极管中质量最好的是（ ）
- 硅二极管的导通压降约为（ ）
- 硅二极管各极电位如图所示，工作在导通状态的是（ ）
- 如图所示电路，二极管VD1和VD2的工作状态为（ ）
- 硅二极管两端加正向电压时（ ）
- 如图所示，VD1、VD2的状态是（ ）
- 要测量IN4007二极管的正反向电阻，应该选择的万用表欧姆档为（ ）
- 某晶体管的发射极电流等于3.2mA，基极电流等于40μA，则它的集电极电流（ ）
- 当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于（ ）
- NPN型晶体管处于放大状态时，各极电位关系是（ ）
- 用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管（ ）
- 晶体管的PCM＝100 mW，ICM＝20 mA，U(BR)CEO＝30V，如果接在IC＝15 mA，UCE＝20V的电路中，则该管（ ）
- 在检测正常三极管管脚极性时，指针式万用表红表笔固定在某一管脚，黑表笔分别接触另外两管脚，两次阻值均较小，则红表笔所接管脚及三极管类型为（ ）
- 三极管的电流放大作用是指（ ）
- 在放大电路中，测得某三极管三个电极的电位分别为2.5V、3.2V、9.6V，则与之对应的三个电极分别是（ ）
- 晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于（ ）
- 用万用表测量一只小功率晶闸管，当开关S闭合时指标如图所示，若晶闸管品质很好，则开关S断开后指标将（ ）
- 关于普通晶闸管结构，说法正确的是（ ）
- 晶闸管导通条件中加正极性电压的是（ ）
A:正向电阻为1kΩ，反向电阻为100kΩ B:正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ C:正反向电阻均为无穷大 D:正向电阻为50kΩ，反向电阻为100kΩ
答案:正向电阻为1kΩ，反向电阻为100kΩ
A:0.5V B:0.7V C:0.3V D:0.2V
A:B图 B:C图 C:A图 D:D图
A:VD1、VD2都导通 B:VD1、VD2都截止 C:VD2截止、VD1导通 D:VD1截止、VD2导通
A:超过0.3V时才导通 B:超过0.5V时才导通 C:超过0.1V时才导通 D:不论电压大小立即导通
A:VD1、VD2都截止 B:VD1导通，VD2截止 C:VD2导通，VD1截止 D:VD1、VD2都导通
A:R×100 B:R×1 C:R×10 K D:R×10
A:0.8 mA B:0.98 mA C:1.02 mA D:1.2mA
A:放大状态 B:截止状态 C:中断状态 D:饱和状态
A:VC＞VE＞VB B:VE＞VC＞VB C:VC＜VB＜VE D:VC＞VB＞VE
A:发射结正常，集电结击穿 B:两个PN结均开路 C:两个PN结均击穿 D:发射结击穿，集电结正常
A:被击穿 B:放大能力下降 C:工作正常 D:功耗太大过热甚至损坏
A:基极 PNP型 B:发射极 PNP型 C:基极 NPN型 D:发射极 NPN型
A:基极电流很小 B:集电极电流很大 C:基极电流微小变化引起集电极电流较大变化 D:发射极电流很大
A:c、b、e B:b、e、c C:b、c、e D:e、b、c
A:阳极电压和负载阻抗 B:控制极电压 C:晶闸管的管压降 D:晶闸管的额定电流
A:偏转到零欧姆 B:原位置摆动 C:返回到无穷大 D:原位置不动
A:4层3端半导体器件，有3个PN结 B:4层2端半导体器件，有2个PN结 C:4层2端半导体器件，有3个PN结 D:4层3端半导体器件，有2个PN结
A:只有门极 B:只有阳极 C:阴极和门极 D:阳极和门极
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