中南大学
- 纯铁的空位形成能Q为105kJ/mol。则以下说法正确的有（ ）。
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- 对于fcc结构，以下说法正确的是（ ）。
- 液态金属结晶时，均匀形核和非均匀形核相比，（ ）是正确的。
- 随着溶质浓度的增大，单相固溶体合金的性能变化规律为（ ）。
- 在fcc晶体的(-111)面上的全位错，正确的有（ ）。
- 液态金属凝固时，粗糙界面晶体的长大机制可能有（ ）。
- 高度冷轧的镁板在深冲时往往会裂开，可能原因有（ ）。
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- 在液态纯金属中进行均质形核时，需要以下（ ）条件。
- 相同条件下，多晶体纯金属的加工硬化率比单晶体纯金属的高。
- 根据凝固理论，典型铸锭组织的特点为最外层为细小等轴晶，靠内为柱状晶，最内层为粗大等轴晶。
- 立方晶系中，（hkl）与［hkl］垂直。
- 在塑性变形过程中，层错能较高的金属中的扩展位错易于产生交滑移。
- 若以A，B，C表示晶体结构中的密排原子面，则fcc结构的原子排列可以表示为ABCABC……的排列，而hcp结构可以表示为ABAB……的排列 。
- 在纯金属中加入溶质原子，只有加入间隙式溶质原子才有提高材料强度的作用。
- 对铜-锌基单相固溶体均匀化退火前进行冷加工，均匀化过程可以得到加速。
- 为减少电阻，装修时室内花线通常选择软态（再结晶退火状态）。
- 由于材料中在一定温度下总存在一定数量的平衡空位浓度，所以通常空位扩散机制比间隙扩散机制的扩散速度快。
- 纯金属结晶过程中必须要有过冷。
- 由于体心立方晶体铁的致密度为0.68，比面心立方晶体铁的致密度0.74小，也就是体心立方晶体铁的间隙多，所以在体心立方晶体铁的温度范围内进行渗碳处理速度更快。
- 在工厂生产条件下，过冷度增大，则临界晶核半径减少，金属结晶冷却速度越快，形核率N和晶核长大速度G的比值N/G越大，晶粒越细小。
- 对于fcc结构和hcp结构，它们的配位数都是12，致密度都是0.74。
- 获得金属的非晶合金的基本方法是快速冷却。
- 再结晶后可以完全消除塑性变形时形成的变形织构，即使形成再结晶织构也与变形织构不会有任何关系。
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- 金属材料塑性变形过程中，除了摩擦热之外，所有施加的外力都转化为材料的变形功对材料进行变形作用。
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- 扩散系数会随着晶体结构的改变而变化，例如铁原子在α-Fe中的自扩散系数比在γ－Fe中的自扩散系数大。
- 动态过冷度是指晶核长大时固液界面的过冷度。
- 非平衡共晶可以通过均匀化退火消除。
- 户外用的架空铜导线要求一定的强度，加工之后可以采用回复退火，只去应力而保留强度；户内电灯用花线，在加工之后可采用再结晶退火软化导线，便于布线和减少电阻。
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- 原子扩散的驱动力是（ ）。
- 面心立方晶体中，柏氏矢量为（ ）的位错属于不可滑移位错。
- 下列矢量可能表示了简单立方晶体的柏氏矢量（ ）。
- 低碳钢的应力－应变曲线中出现屈服现象，可用（ ）进行解释。
- 在室温下变形晶界强度比晶内（），在高温下晶界强度比晶内（）。
- A、B两个组元分别形成α、β固溶体，共晶点为50%，共晶温度时B组元在α、β中含量分别为5%和95%，室温下变为2%和99％。含30%B的合金在室温下的组织为（ ）。
- 多晶体金属塑性变形时，至少需要（ ）个独立的滑移系。
- （110），（120）和（100）所属的晶带是( )。
- 金属Al为fcc结构，其滑移系为（ ）。
- 在正温度梯度下，合金在工业凝固条件下时的固－液界面一般保持（ ）。
- 三元共晶相图中，最多可以得到（ ）平衡。
- fcc,bcc,hcp三种晶体结构中，塑性变形时最容易形成孪晶的是（ ）。
- 密排六方结构金属Mg的滑移系为（ ）。
- 自扩散描述正确的是（ ）。
- 体心立方晶体中，每个原子的原子配位数是（ ）。
- 聚乙烯高分子材料中，单体内的C-H化学键结合、单体与单体之间的结合分别属于（ ）。
- Cu－Al合金和Cu焊接在一起形成扩散偶进行扩散发生柯肯达尔效应，发现原始界面的标记向Cu－Al合金一侧漂移，这说明（ ）。
- 位错应力场的描述中（ ）是正确的。
- 在柯肯达尔效应中，导致标记漂移的主要原因是扩散偶中（ ）。
- 密排六方结构可以看成是（ ）按照ABAB……顺序堆垛而成的。
A:
B:
C:
D:
答案:
A:该合金系存在三元共晶和三元包晶两个四相反应 B:在pP线上发生的反应为L→α＋β C:该合金系存在4个液相面 D:该合金系存在三元共晶和三元包共晶两个四相反应
答案:
A:晶胞的六个面上的6个面中心原子完全属于该晶胞 B:密排方向是 <110> C:密排面是｛111｝ D:致密度为0.74
答案:B/C/D
A:均匀形核的形核功与非均匀形核的形核功相等 B:均匀形核的临界晶核半径大于非均匀形核的 C:均匀形核的形核功小于非均匀形核的 D:均匀形核和非均匀形核的临界晶核半径相等
答案:均匀形核的形核功小于非均匀形核的_均匀形核和非均匀形核的临界晶核半径相等
A:塑性降低 B:强度降低 C:导电性变差 D:强度提高
答案:A:塑性降低 C:导电性变差 D:强度提高
A:如果 a[101]/2是螺型位错，它能在(11-1)面上交滑移 B:如果 a[101]/2是螺型位错，它能在(111)面上交滑移 C:全位错有a[101]/2、 a[110]/2和a[0-11]/2 D:如果 a[101]/2是螺型位错，它能在滑移面 (-111)面上滑移
答案:B/C/D
A:依靠晶体缺陷长大 B:垂直长大机制 C:二维平面长大 D:随机长大
答案:A/B/C
A:镁板深冲时产生加工硬化使变性能力降低 B:大变形量时容易形成织构，塑性变形容易产生方向性，使镁板在深冲时容易裂开 C:金属镁晶体结构为hcp，滑移系少，塑性差 D:深冲时产生的内应力会使镁板在深冲时容易开裂
答案:A/B/C/D
A:
答案:
A:界面起伏 B:能量起伏 C:结构起伏 D:成分起伏
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:组元的化学势梯度 B:组元的浓度梯度 C:畸变能 D:温度梯度
A:a<112>／6 B:a<110>／2 C:a<111>／2 D:a<111>／3
A: a［110］ B:a［111］／3 C:a［110］／2 D:a［100］
A:位错的合成 B:位错的分解 C:位错交滑移 D:Cotrell气团
A:高，低 B:低，低 C:高，高 D:低，高
A:共晶（α＋β）＋α二次晶 B:初晶α C:初晶α＋共晶（α＋β） D:初晶α＋共晶（α＋β）＋α二次晶
A:5 B:12 C:3 D:8
A:［010］ B:［001］ C:［100］ D:［111］
A:｛0001｝<1120> B:｛111｝<110> C:｛1010｝<1120> D:｛110｝<111>
A:树枝状 B:平直和树枝状的混合 C:可以是平直状，也可以是树枝状 D:平直状
A:五相 B:四相 C:两相 D:三相
A:fcc B:都容易产生孪晶 C:bcc D:hcp
A:｛0001｝<1120> B:｛1010｝<1120> C:｛111｝<110> D:｛110｝<111>
A:自扩散系数由浓度梯度引起 B:自扩散系数随温度升高而增加 C:自扩散系数随温度升高而减少 D:自扩散又称为化学扩散
A:4 B:12 C:6 D:8
A:共价键，范德瓦尔斯结合 B:共价键，离子键 C:金属键，共价键 D:氢键，范德瓦尔斯结合
A:Al的膨胀系数大于Cu-Al合金的 B:铜扩散通量等于铝扩散通量 C:铜扩散通量小于铝扩散通量 D:铜扩散通量大于铝扩散通量
A:刃型位错的应力场中正应力分量全部为零 B:刃型位错的应力场中切应力分量全部为零 C:螺型位错的应力场中既有正应力分量，也有切应力分量 D:刃型位错的应力场中既有正应力分量，也有切应力分量
A:两个组元的原子大小不同 B:两个组元的扩散速率不同 C:热膨胀 D:只有一个组元扩散
A:｛1100｝ B:｛0001｝ C:｛1120｝ D:｛1010｝
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