第九章测试
3.在测量位置的传感器中,较其他位置传感器具有明显的优点,线性度好,结构简单,加工方便的传感器是( )。
A:霍尔式位置传感器
B:电容式位置传感器
C:光电式位置传感器
D:电感式位置传感器

答案:A
4.关于光敏三极管光照特性的正确描述是( )。
A:光敏三极管在无光照条件下,在e,c极之间加上一定的电压Uce时,e,c之间的漏电流称为光敏三极管的暗电流
B:暗电流对温度变化不敏感,当温度升高时,暗电流将按照指数规律增大
C:在外有一定工作电压的条件下,受到一定的光照射时的集电极电流称为光敏三极管的光电流
D:在一定光照强度范围内,硅光敏三极管的光电流与光照度之间呈线性关系
5.传感器不可用于生物体的温度测量。( )
A:红外传感器
B:热电偶
C:热电阻
D:霍尔元件
6.关于光耦期间的传输特性参数,下列描述不正确的有( )。
A:在相同的输入电流下,电流传输比越大,输出电流越大
B:隔离特性通常由隔离电阻,隔离耐压和隔离电容来描述
C:要求低失真传输时应使用复合式达林顿型光耦,因为其电流传输比大
D:要求低失真传输时应使用硅光敏二极管型光耦,因为其输出电流与输入电流存在较小的非线性
7.光敏电阻的( )越大,说明该光敏电阻灵敏度越高、性能越好。
A:亮电流
B:光电流
C:亮电阻
D:暗电阻
8.以下基于外光电效应制成的光电器件是:( )。
A:光电倍增管
B:DSP
C:CCD
D:光电池
9.封装在光电隔离耦合器内部的是( ) 。
A:一个光敏二极管和一个光敏三极管
B:两个发光二极管或两个光敏三极管
C:一个发光二极管和一个光敏三极管
D:一个发光二极管和一个发光三极管
10.在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。
A:内光电效应
B:光电效应
C:光生伏特效应
D:外光电效应
11.光电管的光电特性是指光电管上阳极电压和入射光频谱不变条件下( )。
A:入射光的频谱与光通量的关系
B:入射光的频谱与光电流的关系
C:入射光的光通量与光强的关系
D:入射光的光通量与光电流的关系
12.光纤纤维芯折射率n1=19/12,覆盖层折射率n2=17/12,外部n3=1时,最大入射角为( )。
A:90
B:135
C:45
D:30
13.基于外光电效应的光电器件有( )。
A:光敏电阻
B:光敏二极管
C:光电管
D:光导管
14.光敏三极管的结构可以看成,用光敏二极管替代普通三极管中的( )。
A:发射极
B:集电结
C:发射结
D:集电极
15.光敏三极管的结构可以看成,用光敏二极管替代普通三极管中的( )。
A:集电极
B:发射极
C:其它
D:基极
16.下列光电器件中基于光生伏特效应制成的是( )。
A:光电管
B:发光二极管
C:光敏电阻
D:光电二极管
17.光敏二极管是根据压电效应原理制成的。( )
A:对 B:错 18.光电耦合器件仅是光敏元件的组合。( )
A:对 B:错

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