第二章测试
1.普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。
A:最小值 B:最大值 C:平均值 D:有效值
答案:D
2.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )。
A:减小至擎住电流以下 B:减小至门极触发电流以下 C:减小至维持电流以下 D:减小至5A以下
答案:C
3.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A:一次击穿 B:反向截止 C:临界饱和 D:二次击穿
答案:D
4.为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( )。
A:du/dt抑制电路 B:抗饱和电路 C:di/dt抑制电路 D:吸收电路
答案:B
5.具有自关断能力的电力半导体器件称为( )。
A:全控型器件 B:触发型器件 C:半控型器件 D:不控型器件
答案:A
6.若晶闸管电流有效值是157A.,则其额定电流为 ( )。
A:80A B:157A C:246.5A D:100A
答案:D
7.电力电子器件一般具有的特征有( )。
A:不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 B:所能处理电功率的大小是其最重要的参数 C:一般需要信息电子电路来控制 D:一般工作在开关状态
答案:ABCD
8.电力电子器件按照其控制器通断的能力分为( )器件。
A:半控型 B:全控型 C:不控型
答案:ABC
9.普通晶闸管内部有两个PN结。 ( )
A:对 B:错
答案:B
10.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 ( )
A:错 B:对
答案:A

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