数字电路与逻辑设计第七章测试_智慧树知到答案2021年

第七章 半导体存储器：半导体存储器7.1只读存储器（上）:讲解存储器分类及掩模只读存储器工作原理及内部结构电路；简单对比说明PROM、EPRO、ME2PROM、FLASH MEMORY的工作原理及使用特性。
7.2只读存储器（下）:讲解集成ROM芯片AT27C010 的功能、工作时序和应用举例。
7.3随机存储器:讲解SRAM、DRAM存储单元电路结构及原理。
7.4存储器容量的扩展及应用:举例讲解存储器容量扩展方法：位扩展、字扩展、用存储器实现组合逻辑函数的原理及实现方法。
7.5逻辑电路综合设计（一）:讲解利用组合逻辑和时序逻辑电路的知识设计8人知识竞赛抢答器电路的设计过程。
7.6逻辑电路综合设计（二）:讲解设计具有时、分、秒显示功能的数字电子时钟电路的设计实现过程。

[单选题]随机存取存储器具有（ ）功能。
读/写
只写
只读
无读/写
答案：读/写
[单选题]存储容量为8K×8位的ROM存储器，其地址线为（ ）条。
14
12
8
13[单选题]只能按地址读出信息，而不能写入信息的存储器为（ ）
RAM
EPROM
PROM
ROM[单选题]2K×16b的存储器芯片，其存储容量有（ ）
4096B
4000B
2048B
2000B[单选题]计算机的层次存储系统中，主存通常采用（ ）构成。
SRAM
FLASH
DRAM
E2PROM[判断题]从开关速度方面考虑，DRAM芯片比SRAM芯片速度快。
错
对[判断题]静态存储器的存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。
错
对[判断题]从制造工艺上考虑，双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低，集成度高。
错
对[判断题]由于DRAM的存储单元的结构非常简单，所以它所能达到的集成度远高于SRAM。
对
错[判断题]EPROM比E2PROM具有更快的擦除改写速度。
对
错