第一章测试1.
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ）
A:错 B:对
答案:A
2.
PN结加正向电压时，空间电荷区将 。
A: 变宽 B:基本不变
C:无法确定 D:变窄
答案:D
3.
设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。
A: ISeU/UT B:ISeU/UT -1 C:IS D: ISeU
答案:B
4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
A:错 B:对
答案:A
5.
PN结又被称为空间电荷区，耗尽层。
A:错 B:对
答案:B
1.
P型半导体中的多数载流子是（ ）。
A:自由电子 B:空穴 C:正离子 D:负离子
答案:B
2.
场效应管是通过改变栅源电压控制漏极电流的半导体器件（ ）。
A:输入电流控制输出电流
B:输入电压控制输出电流
C:输入电流控制输出电压 D:输入电压控制输出电压
答案:B
3.
在放大电路中，若测得某双极型三极管三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（ ）。
A:NPN锗管 B:PNP硅管
答案:A
4.
测得某工作在放大区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA; 当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流
放大系数β=( )。
A:100 B:75
C:80 D:60
答案:D
5.
稳压二极管稳压时，其工作在( ) 。
A:反向击穿区 B:正向导通区 C:放大区 D:反向截止区
答案:A
1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )
A:超过死区电压时才开始导通
B:立即导通
C:到0.3V才开始导通
答案:A
2.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）
A:略大于150V
B:等于75V
C:约等于150V
答案:B
3.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）
A:增大
B:不变
C:减小
答案:A
4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管（ ）说明管子是好的。
A:正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
B:正.反向电阻都为无穷大
C:正.反向电阻都为零
答案:A
5.PN结加上正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A:变窄
B:变宽
C:基本不变
答案:A
6.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A:不变
B:增大
C:减小
答案:B
7.
二极管正向电阻和反向电阻相比是（ ）。
A:小
B:一样大
C:大
D:无法确定
答案:A
8.问以下哪种情况中，二极管会导通（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:A
9.场效应管可看作（ ）控制的电流源。
A:其它
B:电流
C:电压
答案:C
10.
场效应管应该是属于什么极型的器件。 （）
A:单
B:其它
C:双
答案:A
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