第七章测试
1.‎下列各类存储器中,不采用随机存取方式的是( )。
A:SRAM B:CDROM C:DRAM D:EPROM
答案:B
2.‎下列关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是( )。
A:采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器 B:掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器 C:信息可读可写,并且读、写速度一样快 D:存储单元由MOS管组成,是一种半导体存储器 3.‎下列存储器中,在工作期间需要周期性刷新的是( )。
A:FLASH B:ROM C:SRAM D:SDRAM 4.‎在存储器分层体系结构中,存储器速度从最快到最慢的排列顺序是( )。
A:寄存器--- cache---辅存---主存 B:寄存器---主存---cache---辅存 C:寄存器---主存---辅存---cache D:寄存器--- cache---主存---辅存 5.‎某计算机使用4体交叉编址存储器,假定在存储器总线上出现的主存地址(十进制)序列为8005,8006,8007,8008,8001,8002,8003,8004,8000,则可能发生访存冲突的地址对是( )。
A:8001和8008 B:8004和8008 C:8000和8004 D:8002和8007 6.‎某计算机的Cache共有16块,采用2路组相联映射方式(即每组2块)。每个主存块大小为32字节,按字节编址。主存129号单元所在主存块应装入到的Cache组号是( )。
A:6 B:0 C:4 D:2 7.‎采用指令Cache与数据Cache分离的主要目的是( )。
A:减少指令流水线资源冲突 B:降低Cache的缺失损失 C:降低CPU平均访存时间 D:提高Cache的命中率 8.‎下列命中组合情况中,一次访存过程中不可能发生的是( )。
A:TLB未命中、Cache未命中、Page(页表)命中 B:TLB命中、Cache命中、Page(页表)未命中 C:TLB命中、Cache命中、Page(页表)命中 D:TLB未命中、Cache命中、Page(页表)命中 9.‎以下关于虚拟存储管理地址转换的叙述中错误的是( )。
A:地址转换是指把逻辑地址转换为物理地址 B:地址转换过程中可能会发生“缺页” C:MMU在地址转换过程中要访问页表 D:一般来说,逻辑地址比物理地址的位数少 10.‎以下有关页式存储管理的叙述中,错误的是( )。
A:进程地址空间被划分成等长的页,内存被划分成同样大小的页框 B:采用全相联映射,每个页可以映射到任何一个空闲的页框中 C:相对于段式存储管理,分页式更利于存储保护 D:当从磁盘装人的信息不足一页时会产生页内碎片

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