第六章单元测试
- 制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。
- 磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）。
- 磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（ ）
- 霍尔电势与（ ）成反比
- 霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ ）
- 磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，当磁场反向时，霍尔电动势（ ），因此霍尔元件可用于测量交变电场。
- 属于四端元件的是（ ）
- 多将开关型霍尔IC制作成具有施密特特性是为了（ ），回差越大，效果越明显。
- 霍尔转速表不可以测齿轮的正反转。（ ）
- 霍尔电流表测量电流时，根据右手定律，产生的磁感应强度就越大。（ ）
A:半导体材料的电子迁移率比较大
B:半导体材料的霍尔常数比金属的大
C:半导体中电子迁移率比空穴高
D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
答案:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
A:光强
B:速度
C:加速度
D:位移
A:速度
B:位移
C:光强
D:加速度
A:霍尔器件宽度
B:磁感应强度
C:激励电流
D:霍尔器件长度
A:周围环境温度变化
B:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
C:半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
A:绝对值相反，符号相反。
B:绝对值相反，符号相同。
C:绝对值相同，符号相同。
D:绝对值相同，符号相反。
A:压电晶片
B:热敏电阻
C:霍尔元件
D:应变片
A:增加灵敏度
B:减小温漂
C:提高分辨力
D:抗机械扰动
A:错 B:对
A:对 B:错
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