电子技术基础与技能章节测试课后答案2024春 项目一测试1.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( )。A:压力B:温度C:材料D:掺杂浓度答案:D2.当PN结正向偏置时,耗尽层()。当PN结反向偏置时,耗尽层 ( )。A:变宽,变窄B:变宽,变宽C:变窄,变窄D:变窄,变宽 知到答案智慧树章节答案2024春 2024年03月13日 3 点赞 0 评论 186 浏览
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