第四章单元测试
  1. 优良OFET性能材料的基本特征有



  2. A:大的p B:高的载流子迁移率 C:大的电流开关比 D:面对面p-p互作用
    答案:大的p###高的载流子迁移率###大的电流开关比###面对面p-p互作用
  3. OFETp-型载流子迁移特性主要取决于



  4. A:HOMOLUMO能级 B:HOMO能级 C:LUMO-HOMO轨道能级差 D:LUMO能级
    答案:HOMO能级
  5. OFET的双极载流子迁移特性主要取决于



  6. A:LUMO能级 B:HOMO能级 C:HOMOLUMO能级 D:LUMO-HOMO轨道能级差
    答案:HOMOLUMO能级
  7. 酞菁卟啉分子的下列哪些特点会使该类化合物成为分子半导体材料及器件的研究热点?



  8. A:具有大环共轭体系 B:溶剂化处理 C:膜结构可控 D:分子构型容易裁剪和修饰
    答案:具有大环共轭体系###溶剂化处理###膜结构可控###分子构型容易裁剪和修饰
  9. 芯片又称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)和集成电路?



  10. A:对 B:错
    答案:对

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