光电器件技术期末答案2023秋

1.红外LED可应用于（ ）。
A:显示 B:光隔离器 C:光纤通讯 D:照明
答案:光隔离器; 光纤通讯
2. 集成电路的优势有（ ）。
A:大幅度降低生产成本 B:降低互连寄生效应 C:制备工艺简单易行 D:充分利用半导体晶圆上的空间
答案:降低互连寄生效应; 充分利用半导体晶圆上的空间; 大幅度降低生产成本
3.量子点LED的优点有（ ）。
A:高可靠性 B:柔性 C:低成本 D:宽颜色范围
答案:宽颜色范围; 低成本; 柔性
4.激光二极管的主要性能参数有（ ）。
A:线宽 B:输出功率 C:阈值电流 D:开启电压
答案:阈值电流; 输出功率; 线宽
5. 在量子阱近红外探测器中，束缚态-连续态跃迁的优点有（ ）。
A:工作电压更低 B:探测能力更强 C:响应波长更宽 D:暗电流更低
答案:响应波长更宽; 暗电流更低; 探测能力更强; 工作电压更低
6.可以实现白光发射LED的方法有（ ）。
A:组合红绿蓝LED B:组合黄蓝LED C:组合红蓝LED D:蓝光LED+黄色荧光粉
答案:组合红绿蓝LED; 组合黄蓝LED; 蓝光LED+黄色荧光粉
7.制约情绪的因素主要有（ ）。
A:外部事件 B:情绪的生理基础 C:认知过程 D:生理状态
答案:认知过程
8. 电介质层沉积工艺要考虑的因素（ ）。
A:薄膜电学性能 B:薄膜均匀性 C:沉积速率 D:衬底温度
答案:衬底温度; 沉积速率; 薄膜均匀性; 薄膜电学性能
9. 聚光器的构成主要有（ ）。
A:凹透镜 B:主镜 C:光学棒 D:副镜
答案:主镜; 副镜; 光学棒
10. 相比于电荷耦合器件，CMOS的优点有哪些（ ）。
A:响应速度快 B:功耗低 C:成本更低 D:信噪比更大
答案:响应速度快; 信噪比更大; 功耗低; 成本更低
11. 反应离子刻蚀的优点是（ ）。
A:各向异性好 B:刻蚀速率快 C:刻蚀损伤低 D:刻蚀终点易于预测

12.LED可应用于（ ）。
A:照明 B:显示 C:CD盘读写 D:光纤通讯 13.制备LED时，常用的元素属于（ ）。
A:I-VII族 B:III-V族 C:IV族 D:II-VI族 14. 湿法化学刻蚀中三个基本步骤是（ ）。
A:生成物通过扩散移除 B:反应物扩散至反应物表面 C:真空条件制备 D:发生化学反应 15. 使用内部微透镜不仅可以提高CMOS的灵敏度，而且还可以减少污染。（ ）
A:正确 B:错误 16. PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。（ ）
A:正确 B:错误 17. 高温扩散的杂质浓度随着表面深度的增加而单调递增。（ ）
A:错误 B:正确 18.减小LED的串联电阻可以提高输出功率。（ ）
A:正确 B:错误 19.极紫外（EUV）光刻技术是目前芯片生产中最顶尖的光刻技术。（ ）
A:正确 B:错误 20.LED中的电致发光激发方式是本征激发。（ ）
A:正确 B:错误 21. 对于n型GaAs量子阱近红外光电探测器来说，其缺点是不能探测垂直入射光。（ ）
A:正确 B:错误 22. 按照像素的排列方式，CCD又可以分为线阵CCD和面阵CCD。（ ）
A:错误 B:正确 23.AMOLED是有源矩阵寻址，整个帧时间像素都开启。（ ）
A:错误 B:正确 24.虽然硅是直接带隙半导体材料，但不能用来制备无机LED。（ ）
A:错 B:对 25.电泵浦有机激光二极管的阈值电流比无机激光二极管的阈值电流更小。（ ）
A:错 B:对 26. 注入离子与靶内自由电子以及束缚电子之间的相互碰撞称为核阻止。（ ）
A:对 B:错 27.半导体可以吸收光子能量小于带隙的光。（ ）
A:对 B:错 28. 湿法化学刻蚀具有选择刻蚀性以及各向异性好的优点。（ ）
A:错误 B:正确 29. 可以提高高光子能量下光谱响应的太阳能电池是紫光太阳能电池。（ ）
A:错误 B:正确 30.在LED的出光面涂抹减反射层可以减少全内反射损耗。（ ）
A:正确 B:错误 31. 晶体内扩散的微观机制是通过一系列随机跳跃实现的，有替位式扩散和间隙式扩散两种。（ ）
A:错 B:对 32. 对于半导体硅、锗来说，其吸收系数的截止波长随着温度的升高而红移。（ ）
A:正确 B:错误 33.LED的外量子效率指光通量与输入功率的比值。（ ）
A:错误 B:正确 34. 为了降低雪崩光电二极管中的噪声，需要将空穴电离速率和电子电离速率的差距拉大。（ ）
A:错误 B:正确 35.第一个发射激光的半导体材料是（ ）。
A:AlGaN B:GaAs C:AlN D:PbS 36.半导体激光器与其他类型激光器的相同点是（ ）。
A:激光发散度小 B:激光辐射是高度单色 C:都可高频调制 D:量子跃迁都发生在离散能级之间 37.在半径为 的长直金属圆柱体内部挖去一个半径为 的长直圆柱体，两柱体轴线平行，其间距为 ，如图．今在此导体上通以电流I，电流在截面上均匀分布，则空心部分轴线上 点的磁感强度的大小为（ ）。
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A:Si B:GaAs C:SiC D:C 39.本征跃迁属于（ ）。
A:涉及化学杂质的跃迁 B:带内跃迁 C:带隙间的跃迁 D:涉及物理缺陷的跃迁 40.为了减小激光器的阈值电流，可以减小（ ）。
A:折射率 B:活性层厚度 C:腔长 D:限制因子 41. 最适合用于太阳能电池中减反膜的材料是（ ）。
A:MgF2 B:TiO2 C:SiN D:SiO2 42. 下列物质可以用作液态源扩散的是（ ）。
A:溴化硼 B:氧化砷 C:磷烷 D:五氧化二磷 43.硅浮区工艺的优点有（ ）。
A:获得较低载流子浓度的硅晶体 B:制备成本低 C:整流器不需要高纯度 D:掺杂均匀 44.下列半导体材料属于直接带隙的是（ ）。
A:GaAs B:Si C:Ge D:SiC 45.基于受激发射原理的光电器件为（ ）。
A:注入激光二极管 B:LED C:太阳能电池 D:光发射相机管 46.不属于条带状双异质结激光器的优点是（ ）。
A:低阈值电流 B:高可靠性 C:窄光束 D:窄发射区域 47. 对于两个带隙半导体串联的叠层太阳能电池中，其理想效率最大为（ ）。
A:56% B:39% C:50% D:60% 48.通过光辐射使材料发光的方式是（ ）。
A:阴极发光 B:光致发光 C:电致发光 D:辐射发光 49. 太阳能电池的温度效应中，能量转换效率随着温度的升高而（ ）。
A:无法确定 B:降低 C:不变 D:增加