第二章电力电子驱动电路必须提供控制电路与主电路之间的电气隔离，一般采用光隔离与磁隔离。
答案:对
电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。
答案:错
电力MOSFET栅源电压不能大于10伏，否则将导致绝缘层击穿
答案:对
可关断晶闸管（gto）是一种（ ）结构的半导体器件
答案:四层三端
晶闸管导通的条件是（ ）
答案:阳极加正向电压，门极有正向脉冲
晶闸管内部有（ ）PN结。
答案:三个
单结晶体管内部有（ ）个PN结
三个
四个
一个
答案:二个
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）
答案:二次击穿
下列电力电子器件中，属于电压驱动型的是（ ）
答案:GTR;IGBT
下列器件中，属于电流型驱动的是（ ）
答案:GTO;SCR
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