第七章测试
1.霍尔电势与( )成反比
A:霍尔器件宽度
B:磁感应强度
C:霍尔器件长度
D:激励电流

答案:C
2.霍尔元件不等位电势产生的主要原因包括( )
A:半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
B:周围环境温度变化
C:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
3.磁电作用主要分为( )。
A:霍尔效应
B:电磁感应
C:闭磁路
D:开磁路
4.恒磁通磁电感应式传感器的结构可分为( )。
A:动铁式
B:开磁路
C:动圈式
D:闭磁路
5.霍尔元件的灵敏度与元件的厚度和载流子的浓度有关。( )
A:错 B:对

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