第七章单元测试
  1. 霍尔电势与( )成反比

  2. A:激励电流
    B:磁感应强度
    C:霍尔器件长度
    D:霍尔器件宽度

    答案:霍尔器件长度

  3. 霍尔元件不等位电势产生的主要原因包括( )

  4. A:半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
    B:周围环境温度变化
    C:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
    D:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
  5. 磁电作用主要分为( )。

  6. A:电磁感应
    B:闭磁路
    C:开磁路
    D:霍尔效应
  7. 恒磁通磁电感应式传感器的结构可分为( )。

  8. A:闭磁路
    B:动圈式
    C:开磁路
    D:动铁式
  9. 霍尔元件的灵敏度与元件的厚度和载流子的浓度有关。( )

  10. A:对 B:错

温馨提示支付 ¥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
点赞(4) dxwkbang
返回
顶部