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材料化学

  1. p型半导体和n型半导体结合在一起就会形成pn结,多数载流子的扩散会形成空间电荷区,于是会出现一个不断增强的从p型半导体指向n型半导体的内建电场。( )

  2. A:对 B:错
    答案:错
  3. 固溶半导体是由两个或两个以上的元素构成的具有半导体性质的固体溶液。( )

  4. A:错 B:对
    AI参考:答案是B:对。固溶半导体是由两个或两个以上的元素构成的具有半导体性质的固体溶液,这是正确的。固溶体是一种固体材料,其中两个或多个元素通过离子键结构相互融合,形成了一种具有特定性质的材料。这种材料通常具有半导体、导体或绝缘体的性质,具体取决于构成元素的性质和比例。因此,这个判断题的答案是B,即“对”。'
  5. 只要涉及分子间相互作用,都可以归结为超分子化学的研究范畴。( )

  6. A:对 B:错
    AI参考:答案:B:错。判断题需要给出理由和解释。由于分子间相互作用是一个非常广泛的领域,超分子化学主要研究的是超分子体系(由分子、原子或离子等微观粒子构成的具有特定功能的复杂体系)的形成、结构和相互作用,因此不能将所有涉及分子间相互作用的研究都归结为超分子化学的研究范畴。因此,本题答案是B:错。'
  7. 费曼被称为纳米科技之父。( )

  8. A:错 B:对
    答案:对
  9. 导体中的载流子是自由电子,半导体中的载流子则是带正电荷的电子和带负电荷的空穴。( )

  10. A:错 B:对
    答案:错
  11. 共价有机框架就是一类以轻元素C、O、N、B等以共价键连接而构建,经热力学控制的可逆聚合形成的有序多孔结构的晶态材料。( )

  12. A:对 B:错
    答案:C.O.N.BAI参考:答案是A:对。共价有机框架(COF)是一种以轻元素C、O、N、B等以共价键连接而构建的有序多孔结构的晶态材料,经热力学控制的可逆聚合形成。因此,该判断题是正确的。'
  13. 区熔法分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。( )

  14. A:错 B:对
    答案:对
  15. 用于生物科学和医学、治疗方面的一类材料,包括:生物惰性材料和生物活性材料。( )

  16. A:错 B:对
    AI参考:答案是B:对。生物科学和医学、治疗方面的一类材料包括生物惰性材料和生物活性材料。生物惰性材料通常是指无生物活性、无血液相容性和无细胞粘附性的惰性材料,如塑料、陶瓷、玻璃等;而生物活性材料是指具有生物活性的材料,能够与人体组织发生生物化学作用,促进组织愈合和修复的材料,如生物陶瓷、生物玻璃、生物塑料等。因此,本题判断正确,选项B为正确答案。'
  17. n-型半导体的导电机理是空穴导电占主导。( )

  18. A:错 B:对
    AI参考:判断题【判断题】n-型半导体的导电机理是空穴导电占主导。( )是正确的,B:对。在n-型半导体中,多数载流子是电子,由于少子浓度受温度变化的影响较大,因此,n-型半导体中一般讨论电子运动的特点。n-型半导体的导电机理主要是电子导电,空穴导电只起辅助作用。因此,题目中的描述是正确的。'
  19. OLED器件在发光时,电子在电压驱动下由负极向正极传输。( )

  20. A:对 B:错
    AI参考:正确答案是B:错。OLED器件在发光时,电子在电场作用下从阴极(负极)向阳极(正极)快速迁移,而不是在电压驱动下由负极向正极传输。因此,该说法是错误的。'
  21. 气体通过低温介质可使其中易冷凝的杂质(如水蒸气)凝结而与气体分离。( )

  22. A:错 B:对
    AI参考:正确答案是【对】。气体通过低温介质可使其中易冷凝的杂质(如水蒸气)凝结而与气体分离,这个过程称为冷凝分离,是气体净化的常见方法之一。因此,该判断题是正确的。'
  23. OLED器件中EML指的是电子注入层。( )

  24. A:对 B:错

  25. 区熔法制备单晶材料在结晶过程纯度很高,并且也能获得很均匀的掺杂。( )

  26. A:对 B:错
    AI参考:答案:B:错。区熔法制备单晶材料在结晶过程中可能会引入杂质,因此纯度可能不高。此外,由于晶体生长过程中的不均匀性,可能无法获得很均匀的掺杂。因此,这个说法是错误的。'
  27. 因溶剂的存在而使化学平衡或化学反应的速率发生改变的效应叫溶剂效应。( )

  28. A:错 B:对

  29. 在较高温度下,晶体中平衡的点缺陷浓度较大,更容易形成非整比相。( )

  30. A:对 B:错
    AI参考:答案是B:错。在较高温度下,晶体中缺陷浓度较大,更容易形成新的组成相。晶体的组成相通常是指与基体晶体化学成分不同但结构相同的晶体,它们通常是由于晶体中存在缺陷或杂质偏聚等原因形成的。因此,晶体中缺陷浓度较大并不一定更容易形成非整比相。相反,在较高温度下,晶体中的点缺陷更容易产生和移动,这可能导致杂质原子或离子在晶体中发生偏聚,从而形成新的组成相。因此,这个说法是错误的。'
  31. 按照能带理论,固体的导电性能是由它的能带结构决定的。( )

  32. A:对 B:错
    AI参考:正确答案是A:对。按照能带理论,固体的导电性能是由它的能带结构决定的。固体的导电性能通常分为三种类型:导体、半导体和绝缘体。其中,导体通常具有完全充满的能带结构,可以自由地传导电子;半导体通常具有部分充满的能带结构,电子数量有限,可以通过扩散和漂移等方式进行导电;绝缘体通常具有完全填充的能带结构,电子数量极少,无法自由传导电子。因此,按照能带理论,固体的导电性能是由它的能带结构决定的。所以本题选择A项“对”。'
  33. 人类和动物的牙齿坚硬无比,能承受极大且不断咀嚼的磨损和压力,原因是在牙齿的外表排列着纳米尺寸的微小晶体。( )

  34. A:错 B:对
    AI参考:正确答案是B:对。牙齿表面排列着纳米尺寸的微小晶体,这使得牙齿非常坚硬,能够承受不断咀嚼的磨损和压力。因此,选项B是正确的。而选项A则是错误的,因为没有分析就没有依据证明人类的牙齿能承受极大的咀嚼压力和磨损,主要原因是牙齿表面排列着纳米尺寸的微小晶体。'
  35. 等电子陷阱发光可得到较高的发光效率的原因在于激子不易发生导致能量损失的俄歇过程。( )

  36. A:错 B:对

  37. 当粒子尺寸下降到某一值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象和纳米半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据的分子轨道能级,能隙变宽现象均称为量子尺寸效应。( )

  38. A:对 B:错

  39. 纳米氧化钛是一种优良的半导体光催化材料。( )

  40. A:对 B:错

  41. 提拉法制备单晶材料中,旋转籽晶的目的在于( )

  42. A:加速晶体生长 B:获得热对称性 C:提高晶体的直径 D:减少晶体生长温度
    AI参考:旋转籽晶的目的在于获得热对称性。在提拉法制备单晶材料的过程中,旋转籽晶可以使得晶片上各点结晶终止位置的温度场比较均匀,这样可以得到对称性高的单晶,从而提高单晶的品质。因此,旋转籽晶的目的不是加速晶体生长、提高晶体的直径或减少晶体生长温度。'
  43. 下列哪种材料的价带是满带,但禁带宽度为零,价带和较高的空带相交叠,满带中的电子能占据空带( )。

  44. A:Ge B:Si C:SiC D:Mg
    AI参考:答案:B。在半导体材料中,当材料的禁带宽度为零时,也就是价带和导带重合或者几乎重合,此时电子可以很容易地跃迁到导带,而留在价带的电子也可以很容易地跃迁回价带,但此时禁带宽度为零,所以此时材料导电性能差,为半导体材料。B项中硅的价带和较高的空带相交叠,且禁带宽度为零,是半导体材料。故本题答案为B。'
  45. TiO2在还原气氛下加热易失氧而产生弱束缚电子,它属于( )非整比化合物。

  46. A:缺阴离子型 B:阴离子间隙 C:缺阳离子型 D:阳离子间隙
    AI参考:答案为A,缺阴离子型。TiO2在还原气氛下加热易失氧而产生弱束缚电子是因为发生了化学价态的变化,形成了新的化学键,这种化学键的成键方式是电子偏离了原来的成键轨道,导致电子偏移,所以这种类型属于缺阴离子型。而BCD选项与题意不符。因此,正确答案是A。'
  47. 当压力大于13.3 GPa时,磷化铟单晶由闪锌矿结构转变为( )。

  48. A:面心立方结构 B:三斜晶系结构 C:底心立方结构 D:体心立方结构
    AI参考:答案:A推理过程:磷化铟的化学键主要以共价键为主,因此在超过闪锌矿结构的情况下仍然保持着典型的共价键结构的对称性。其熔点受高对称性的影响高于13.3 GPa以上的常见晶体材料(金刚石)的结构是由十二面体切割得来的三菱形网格加上金刚石单元(单层碳)再扩展而成,由于每个原子在体中都会参与共价键结构而呈现出稳定性较高的六方结构。在相同压强条件下,结构具有高对称性的晶体会比低对称性的晶体优先生成。磷化铟属于过渡族元素化合物,由于氮和磷都是属于第一周期的元素,其结构在结构转变过程中可能没有出现氮原子配位而影响结构变化,故而仍然保持闪锌矿结构转变为面心立方结构。故本题选择A项。本题考察晶体的知识,主要考察晶体的结构特点以及晶体的转变条件。晶体的结构特点主要考察晶体的对称性以及晶体的空间结构,晶体的转变条件主要考察压力以及温度对晶体结构的影响。在题目中,我们只需要分析出磷化铟单晶由闪锌矿结构转变为面心立方结构即可,不需要对其他选项进行深入的分析。因此,本题的答案为A选项。'
  49. 从器件结构上进行分类有( )类?

  50. A:5 B:2 C:3 D:4

  51. 光催化无机半导体材料的能隙最好接近( )。

  52. A:1.0 eV B:6.0 eV C:2.0 eV D:4.0 eV
    AI参考:正确答案是D。能隙是指光子能量大于或等于半导体材料在特定频率下所具有的吸收能量的最小光子能量。因此,光催化无机半导体材料的能隙最好接近4.0 eV。选项A、B、C的数值都偏小,只有选项D的数值接近4.0 eV,因此选择D。'
  53. 下列材料中不属于本征半导体材料( )。

  54. A:金刚石 B:锗 C:硅 D:硫
    AI参考:正确答案是金刚石。金刚石是自然界中最常见的碳元素所形成的晶体,是一种非金属材料,不是半导体材料。而锗、硅、硫等元素形成的晶体都具有良好的半导体性质,可以用于制作半导体器件。因此,本题答案为A选项:金刚石。'
  55. 理想的小分子空穴传输材料应该具备哪些性质?( )

  56. A:其余都是 B:能与阳极形成小的势垒 C:能真空蒸镀成无针孔的薄膜 D:具有高的热稳定性

  57. 能够吸收激发辐射,然后进入激发态并把能量传递给发光中心的物质叫做:( )。

  58. A:激活剂 B:传递剂 C:敏化剂 D:基质
    AI参考:正确答案是B:传递剂。传递剂能够吸收激发辐射,然后进入激发态并把能量传递给发光中心的物质。激活剂和敏化剂通常用于化学发光中,基质通常用于荧光物质中。传递剂在光化学反应中起到关键作用,它能够吸收光能并传递给发光中心,促进化学反应的发生。'
  59. ( )属于电致发光?

  60. A:白炽灯 B:日光灯 C:发光二极管 D:显像管
    AI参考:正确选项是【C:发光二极管】。电致发光是指物质在电场的作用下发光的原理,其中发光二极管属于电致发光的一种。白炽灯、日光灯和显像管都属于气体放电发光的原理,不属于电致发光。'
  61. 将ZnO放入Zn蒸汽中加热或脱氧,Zn进入ZnO的晶格间,形成( )非整比化合物。

  62. A:阳离子间隙 B:缺阳离子型 C:阴离子间隙 D:缺阴离子型

  63. 选择没有光吸收的介电材料制成光子晶体,可以反射从任何方向的入射光,可制成( )

  64. A:光子晶体超棱镜 B:光子晶体偏振器 C:高性能反射镜 D:光子晶体微腔
    AI参考:正确答案是C:高性能反射镜。选择没有光吸收的介电材料制成光子晶体,可以反射从任何方向的入射光,符合高性能反射镜的特点。光子晶体超棱镜、光子晶体偏振器和光子晶体微腔虽然也与光有关,但它们的作用和原理与题目要求不符。因此,答案为C。'
  65. 在典型的发光物质Y2O3:Eu3+中,激活剂是( )。

  66. A:Y2O3 B:Eu C:Eu3+ D:Y
    AI参考:正确答案是C:Eu3+。在典型的发光物质Y2O3:Eu3+中,激活剂是Eu3+。这是一个化学物质及其应用的问题,需要对化学物质及其应用有一定的了解。在发光材料中,激活剂通常是能够吸收特定波长的光并产生发射的离子或原子。在这个例子中,Eu3+离子被选为激活剂,因为它能够吸收紫外光并发出红色的可见光。因此,选项C是正确答案。'
  67. 非整比化合物的主要特点表现在( )。

  68. A:结构 B:结构和动力学 C:原子分布不同 D:结构和热力学
    AI参考:正确答案是D:结构和热力学。非整比化合物的主要特点表现在结构和热力学上,而非整比化合物是由两个或多个不同原子组成的化合物,因此A选项错误。B选项动力学是反应动力学,与非整比化合物无关。C选项原子分布不同是针对同素异形体的特点,与非整比化合物无关。因此,D选项“结构和热力学”是正确答案。'
  69. 纳米Al2O3粉体对250nm以下的( )有很强的吸收能力,可用于提高日光灯管使用寿命。

  70. A:紫外光 B:可见光 C:太阳光 D:近红外
    AI参考:正确选项是A:紫外光。纳米Al2O3粉体对250nm以下的紫外光有很强的吸收能力,可用于提高日光灯管使用寿命。因此,答案为A。其他选项B、C、D与题目描述不符。'
  71. 湿化学方法不包括( )。


  72. A:化学气相沉积 B:水热法 C:化学共沉淀法 D:溶胶-凝胶法
    AI参考:正确答案是A:化学气相沉积。湿化学方法是指利用水作为溶剂或反应介质的一种化学制备方法,包括水热法、化学共沉淀法、溶胶-凝胶法等。而化学气相沉积是一种物理气相沉积方法,不属于湿化学方法。因此,本题的正确选项为A:化学气相沉积。'
  73. 非化学整比化合物FeO属于缺阳离子型,其结构与导电特点为( )。

  74. A:产生弱束缚电子,是p型半导体 B:产生空位,是n型半导体 C:产生弱束缚电子,是n型半导体 D:产生空位,是p型半导体
    AI参考:正确答案是C:产生弱束缚电子,是n型半导体。非化学整比化合物FeO中的铁离子提供的是弱束缚电子,在半导体材料中通常是半导体价电子缺失导致的电子缺失主要作用的是阳离子(或离子性杂质),空位是缺位空洞主要影响价带上的导电。在电学性质方面,金属导体导电是自由电子导电,半导体导电是电子和空穴导电,而本题中铁离子提供的电子数量较少,所以是弱束缚电子,所以是非化学整比化合物FeO属于缺阳离子型,其结构与导电特点为产生弱束缚电子,是n型半导体。需要注意的是选项D的描述和选项C不同,产生空位可能是半导体材料中的空洞引起的,具体分析应根据实际情况和具体材料来判断。所以此题应该选择C。'
  75. 在铃木-宫浦偶联反应中,卤代物 I、Br、Cl 的活性顺序是( )。

  76. A:I>Cl>Br B:Cl>Br>I C:Br>I>Cl D:I>Br>Cl
    AI参考:正确答案是D:I>Br>Cl。在铃木-宫浦偶联反应中,由于碘原子有较大的电负性,亲核性最强,因此卤代物I的活性最高,其次是Br,最后是Cl。因此选项D“I>Br>Cl”是正确的。'
  77. 最早报道OLED的电致发光是( )等人。

  78. A:Pope B:Burroughes C:Tang C W D:Heeger
    AI参考:正确答案是C:W.S.Tang和C.W.Tang。OLED最早是由W.S.Tang和C.W.Tang在1987年首次报道的,因此答案为C。Burroughes等人后来也在这一领域做出了重要贡献。Pope、Heeger和Burroughes等人都是在OLED研究领域中做出过重要贡献的科学家,但他们的贡献并不在OLED的电致发光方面。因此,本题选C。'
  79. 惰性气体蒸发-凝聚法制备纳米微粒,大原子质量的惰性气体将导致(),随着蒸发速率的增加,粒子()。( )

  80. A:小粒子、变大 B:大粒子、变小 C:小粒子、变小 D:大粒子、变大
    AI参考:正确答案是C:小粒子、变小。惰性气体蒸发-凝聚法制备纳米微粒,大原子质量的惰性气体在蒸发过程中会捕获纳米微粒,导致粒子变小。随着蒸发速率的增加,由于气体分子的扩散作用增强,气体分子与微粒碰撞的概率增加,气体分子捕获微粒的概率增大,导致粒子大小减小。因此,答案为C:小粒子、变小。'
  81. 聚合物非线性光学材料的结构特征包括( )

  82. A:高分子与生色基小分子的主-客复合物 B:侧链键连型聚合物 C:主链键连型聚合物 D:交链型聚合物

  83. 石英光纤制造方法主要有( )

  84. A:管内CVD法 B:水热法 C:等离子体化学气相沉积法 D:熔融淬冷法
    AI参考:正确选项为A:管内CVD法、B:水热法。 石英光纤制造方法主要有管内化学气相沉积法(A对)、水热法(B对)、等离子体化学气相沉积法(C对)等。熔融淬冷法主要用于光纤预制棒的制备,不是制造光纤的主要方法(D错)。 这些方法都是通过特定的工艺过程,将石英玻璃原材料转化成石英光纤或光纤预制棒。具体选用哪种方法取决于原材料的性质、成纤温度等因素。"
  85. 下列哪些发光现象是OLED中常见发生的( )

  86. A:热发光 B:磷光 C:激光 D:荧光
    AI参考:在OLED中常见发生的是荧光发光现象。荧光是由给定波长的电磁辐射(如紫外线)照射物质后产生的。在OLED中,当电流通过有机发光材料时,材料会发出可见光。这种光通常是荧光,因为材料在发光过程中会受到紫外线的激发。其他选项中,热发光是某些物质在受热时发出的光,磷光是指物质在紫外线照射停止后继续发出的光,这些现象在OLED中并不常见。因此,正确答案是D:荧光。"
  87. 零维纳米材料主要包括( )

  88. A:团簇 B:碳纳米管 C:量子点 D:纳米颗粒

  89. 通常,有机纳米管主要有哪几种?( )

  90. A:基于氢键自组装的纳米管 B:基于有机小分子的自组装纳米管 C:基于螺旋折叠体的有机纳米管 D:基于大环分子堆叠的自组装纳米管
    AI参考:通常,有机纳米管主要有以下几种: A、B和D选项都是正确的。具体来说: A、基于氢键自组装的纳米管,这是一种由分子间氢键形成的纳米管。 B、基于有机小分子的自组装纳米管,这是由有机小分子(如单体或单层分子)通过自组装形成的纳米管。 C、基于螺旋折叠体的有机纳米管,这是由具有特定结构的折叠分子或基元组装而成的纳米管。 D、基于大环分子堆叠的自组装纳米管,这是一种由大环分子(如环糊精)堆叠形成的纳米管。 所以,这四个选项都是有机纳米管的常见类型。"
  91. 半导体材料的发展实际上可以划分为三个时代,下列哪些材料属于第三代半导体材料( )。

  92. A:GaN B:ZnSe C:GaAs D:InP

  93. 相对于石英光纤,聚合物光纤具有的优点是( ):

  94. A:可使用廉价的LED和LD作为信号源 B:价格低廉,可塑性强,施工方便 C:带宽宽,衰减低 D:在连接和安装处理方面比较容易

  95. 下列关于磷光材料说法正确的是( )

  96. A:有机磷光材料的内量子效率可达到100% B:金属络合物Flrpic是一种重要的磷光掺杂剂 C:磷光材料的发光寿命通常比荧光长 D:只有磷光材料中含有金属络合物

  97. 小尺寸效应会导致( )

  98. A:结构相变 B:光谱移动 C:超导相破坏 D:磁有序改变
    AI参考:正确选项为:A、B、C。 小尺寸效应会导致一些材料和结构相变,进而引起材料的光谱和电子结构发生变化,从而影响其电学和磁学性能。具体来说,小尺寸效应可能影响到超导相、磁有序和半导体等物理特性。因此,答案为A、B、C。D选项虽然也涉及到材料性能的变化,但与小尺寸效应的关系并不直接,因此不是正确选项。"
  99. 实际应用的纯元素半导体有( )。

  100. A:锗 Ge B:硅Si C:碳 C D:氧 O
    AI参考:正确选项为:A:锗 Ge B:硅Si。 实际应用的纯元素半导体有硅、锗、硒等,碳和氧不是元素半导体。其中硅是最常用的元素半导体,其单晶可作为半导体材料,如硅单晶发光二极管等。锗和硅是同族元素,其单晶也具有相似的性质,也能作为半导体材料使用。因此,本题答案为A和B。"
  101. CVD方法可用于制造( )。

  102. A:一维纳米材料 B:薄膜 C:纤维 D:纳米颗粒
    AI参考:正确选项为:ABCD。 CVD方法可用于制造一维纳米材料、薄膜、纤维和纳米颗粒。这是一种重要的制备纳米材料的方法,通过气相反应,将反应物分子传输到基片表面,发生化学反应,形成所需的纳米结构材料。因此,所有选项都正确。"
  103. 下列属于整比相材料的特点的有( )

  104. A:自由能仅是温度的函数 B:具有尖锐的G-x曲线 C:缺陷形成需要大量能量,偏摩尔自由能高 D:具有较宽的不对称G-x曲线
    AI参考:正确选项为B、C 整比相材料属于晶体材料,具有以下特点: 1. 具有尖锐的G-x曲线,表明材料具有很高的性能。 2. 缺陷形成需要大量能量,偏摩尔自由能高,需要控制温度和应力等工艺条件。 因此,选项B和C是正确的。选项A描述的是液晶材料的特性,与整比相材料无关;选项D描述的是材料性能的不对称性,与整比相材料的特性不符。"
  105. 从驱动方式上分类有哪几类?( )

  106. A:多源驱动 B:有源驱动 C:无源驱动 D:单元驱动

  107. 在满带之上,能量较高,且可以是部分填充电子或全空的能带( )。

  108. A:导带 B:空带 C:价带 D:禁带
    AI参考:在满带之上,能量较高,且可以是部分填充电子或全空的能带是导带。选项中,导带、空带和价带都是在半导体材料中的能带结构,但是他们的位置和性质有所不同。导带位于满带之上,通常是部分填充电子或全空的能带,具有较高的能量。空带是位于满带之下,通常是部分填充电子的能带。价带是位于满带之下,通常是部分填充电子或全空的能带。禁带是指半导体材料中存在的一个能量间隔,它定义了满带和导带的能量位置。因此,答案为(A)导带。"
  109. 以下关于铃木-宫浦偶联反应正确的选项是( )

  110. A:铃木-宫浦偶联反应具有反应条件温和,产率高等特点 B:铃木-宫浦偶联反应在没有碱参与下几乎不反应 C:铃木-宫浦偶联反应的催化剂只能用钯 D:铃木-宫浦偶联反应的的原料可以不是芳基硼酸或硼酸酯
    AI参考:正确选项是:A:铃木-宫浦偶联反应具有反应条件温和,产率高等特点 铃木-宫浦偶联反应(Suzuki-Miyaura偶联反应)是一种具有反应条件温和、产率高等特点的钯催化有机硼或有机铝化学反应,它可以实现许多在常规条件下难以进行的化学转化。 B选项表述错误,因为铃木-宫浦偶联反应需要适当的碱参与,如醇钠、氢氧化钠等,以中和生成的氢卤酸并促进反应的进行。 C选项表述过于绝对,虽然钯是常见的催化剂,但铃木-宫浦偶联反应也可以使用其他催化剂,如铜、银等。 D选项表述正确,铃木-宫浦偶联反应的原料主要是芳基硼酸或硼酸酯,但也可以使用其他类型的化合物,如卤代烃、烯丙基化合物等。 综上所述,A选项是正确的。"
  111. 半导体材料作为半导体器件的要求是( )。

  112. A:高的载流子迁移率 B:适当的杂质浓度 C:较高的载流子寿命 D:合适的禁带宽度

  113. 在扁平的大环骨架上植入键合位点,通过大环分子之间堆积构筑纳米管道,是目前应用最为广泛、也是最成功的构筑策略。这个策略有哪些显著优势?( )

  114. A:纳米管的外部直径由大环的尺寸决定,因而可以精确控制 B:引入不同的功能基团调控管道内壁的性质 C:纳米管的内部直径由大环的尺寸决定,因而可以精确控制 D:引入不同的功能基团调控管道外壁的性质
    AI参考:正确选项为:A:纳米管的外部直径由大环的尺寸决定,因而可以精确控制 B:引入不同的功能基团调控管道内壁的性质。 根据题干描述,通过在扁平的大环骨架上植入键合位点,构筑纳米管道,纳米管的外部直径由大环的尺寸决定,可以精确控制,而管道内壁的性质则可以通过引入不同的功能基团进行调控。因此,选项A和B是该策略的显著优势。选项C和D描述的是纳米管的内部和外壁的性质,与题干描述不符。"
  115. 根据电导率大小的影响因素,增加材料的导电性的具体措施可以有( )。

  116. A:增大单位体积内载流子的数目 B:增加光电转换效率 C:增大载流子流动性 D:增大材料的矫顽力
    AI参考:正确选项为:AC。 影响材料的导电性的主要因素包括材料的单位体积内的载流子数目、载流子的浓度和迁移率,以及载流子之间的相互作用等。其中,增大单位体积内载流子的数目和增大载流子流动性是提高材料导电性的有效手段。选项B与光电转换效率有关,选项D与材料的物理性质有关,因此不符合提高材料导电性的要求。因此,选项AC是正确的答案。"
  117. 怎样使固溶体具有半导体性能?( )。

  118. A:两种半导体互溶 B:掺杂金属离子 C:淬火处理 D:化合物半导体中元素局部取代
    AI参考:正确选项是【化合物半导体中元素局部取代】。 半导体材料中,通常在化合物半导体中元素局部取代,例如在本征半导体材料硅(Si)或锗(Ge)中掺入微量Ⅲ族元素(如硼B)或Ⅴ族元素(如磷P),就会产生可控制的电子导电性。这种被掺入杂质和半导体材料之间形成的结合程度,对于半导体材料的性质有着重要影响。通过元素局部取代,可以改变固溶体的晶体结构,使电子和空穴容易在晶体中运动,从而产生半导体性能。其他选项对于产生半导体性能的作用不明显或不具备此种效果。"
  119. 根据不同阶段合成方法的差异,超交联聚合物主要通过以下哪几种方法制备得到。( )

  120. A:内交联剂编织法 B:功能化小分子自缩聚法 C:外交联剂编织法 D:聚合物前体后交联法
    AI参考:根据不同阶段合成方法的差异,超交联聚合物主要通过以下几种方法制备得到,分别是【外交联剂编织法】和【聚合物前体后交联法】。 答案选项C和D具有一定的相似性,两者都是通过外部交联的方式制备超交联聚合物。但是,选项D还特别提到了“聚合物前体后交联法”,这是一种特定的制备超交联聚合物的方法,通过将聚合物前体进行后交联,从而形成具有特殊性能的超交联聚合物。 因此,选项C和D都是正确的,而其他选项如内交联剂编织法、功能化小分子自缩聚法,虽然在理论上可以制备超交联聚合物,但在实际操作中可能存在一定的困难和问题,因此不是最佳选择。"

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