北京航空航天大学
- 带有放大环节的串联型直流稳压电源，由采样电路、基准电压、比较放大和调整元件四个环节组成，用以提高稳压性能。 （ ）
- 晶体管的电流放大倍数β是常数。（ ）
- 耦合电容和旁路电容在低频段使放大倍数的数值下降，且产生超前相移。（ ）
- 晶体管工作在放大区时的发射极电流是多数载流子扩散运动形成的。（ ）
- 已知某电路电压放大倍数为
，则该电路在中频段最大电压放大倍数是10。（ ） - 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（ ）
- 既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ ）
- 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。（ ）
- 已知某电路的幅频特性如图所示
，该电路是三级放大电路。（ ） - 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。（ ）
- 如图所示电路中，
已知晶体管的＝80，rbe＝1kΩ，
＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。该电路的输出电阻
。（ ） - 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（ ）
- PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
- 功率放大电路的转换效率是指输出功率与晶体管所消耗的功率之比。（ ）
- 已知某电路的幅频特性如图所示
，该电路是直接耦合放大电路。（ ） - 反馈量仅仅决定于输出量。（ ）
- 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（ ）
- 极间电容在高频段使放大倍数的数值下降，且产生超前相移。（ ）
- 在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体.（ ）
- 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受正向电压，就能保证其Res大的特点。（ ）
- 当栅源电压等于零时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ）
- 运算电路如图所示，
该电路中，A1形成 电路，A2形成 电路，整个电路可实现 运算。（ ） - 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
- 分析如下图所示电路，
设U2（有效值）＝10V，则Ui（AV）＝（ ）。 - 某放大电路的波特图如图所示，
该电路由（ ）级放大电路组成。 - 如图所示电路，
静态时，晶体管发射极电位UEQ（ ）。 - 如图所示
比较器电路，这是一个（ ）。 - 稳压管的稳压区是其工作在 （ ）
- 运算电路如图所示，
该电路可实现（ ）运算。 - 电路如图所示。
，已知：晶体管的、
、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。低频特性最差即下限频率最高的电路是。（ ） - 如图所示两级放大电路中，
T1和T2管分别组成（ ）基本接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。 - 在串联型直流稳压电路中，调整管工作在（ ）。
- https://image.zhihuishu.com/zhs/question-import/formula/202309/08dea3648e544a27b8da1bffaf6b985f.png
- 分析如下图所示电路，
若电阻R短路，则（ ）。 - 为了稳定放大电路的输出电压，需要引入的负反馈类型为（ ）
- 要减小放大电路从信号源索取的电流，同时增强放大电路的带负载能力，应该在放大电路中引入（ ）。
- 如图所示电路，
已知VCC＝15V，RL＝8Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，最大输出功率POM （ ） 。 - 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 （ ） 。
- 分析如下图所示电路，
若电容C脱焊，则Ui（AV）＝（ ）。 - 振荡电路如图，
已知R6=R7=R8，-VCC=-10V，R7的滑动端处于中间位置，R1=2kΩ，C=1μF，输入ui=1V，则输出uo的频率为（ ）。 - 互补输出级采用共集形式是为了使（ ） 。
- 单相半波整流电路中，输出直流电压UO与变压器二次侧绕组电压U2有（ ）关系。
- 单相桥式整流电路中，负载电阻为100Ω，输出电压平均值为10V，则流过每个整流二极管的平均电流为（ ）。
- 某放大电路的幅频特性如图所示，
当f ＝105Hz时，附加相移为（ ）。 - 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 （ ）
- 已知某电路的幅频特性如图所示，
，当f ＝104Hz时，附加相移为（ ）。 - 单相桥式整流电路中，流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的（ ）。
- 为了增大放大电路的输入电阻，需要引入的负反馈类型为（ ）
- 整流电路中滤波器滤波可使波形变得（ ）。
- 如图所示电路，
若T2和T4管的饱和管压降│UCES│＝3V，输入电压足够大，则电路的最大输出功率Pom为（ ）
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:B:对
A:对 B:错
答案:B:错
A:对 B:错
答案:B:错
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:增强型MOS管 B:结型管 C:耗尽型MOS管
A:比例 B:积分 C:求和 D:微分
A:电阻阻值有误差 B:晶体管参数的分散性 C:晶体管参数受温度影响 D:电源电压不稳定
A:12V B:4.5V C:14V D:9V
A:一 B:四 C:二 D:三
A:＝0V B:＜0V C:＞0V
A:窗口比较器 B:滞回比较器 C:单限比较器 D:过零比较器
A:正向导通 B:反向截止 C:反向击穿
A:比例 B:同相求和 C:加减 D:反相求和
A:a B:b C:c D:d
A:共射，共射 B:共射，共射 C:共集，共基 D:共射，共基
A:放大状态 B:饱和状态 C:截止状态 D:开关状态
A:电容C将过压击穿 B:变为半波整流 C:变压器有半周被短路，会引起元器件损坏 D:稳压管将过流损坏
A:Uo将升高 B:电容C将击穿 C:变为半波整流 D:稳压管将损坏
A:电压 B:并联 C:串联 D:电流
A:电压串联负反馈 B:电压并联负反馈 C:电流串联负反馈 D:电流并联负反馈
A:＝18W B:＝9W C:≈28W
A:前者正偏、后者也正偏 B:前者反偏、后者也反偏 C:前者正偏、后者反偏
A:12V B:4.5V C:14V D:9V
A:100Hz B:1000Hz C:200Hz D:10Hz
A:不失真输出电压大 B:电压放大倍数大 C:带负载能力强
A:UO=1.2 U2 B:UO=U2 C:UO=0.9U2 D:UO=0.45U2
A:1A B:0.1A C:0.05A D:10A
A:－135˚ B:－270˚ C:－45˚ D:－225˚
A:增大 B:减小 C:不变
A:－45˚ B:－225˚ C:－270˚ D:－135˚
A:1.5倍 B:1/4 C:2倍 D:1/2
A:串联 B:电压 C:并联 D:电流
A:抖动 B:受控 C:平滑 D:尖锐
A:3.06W B:1.06W C:5.06W
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