九江职业技术学院
- 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
- 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
- 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻eR，目的是输入电阻增大。
- 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化.
- 使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
- 石英晶体振荡电路的基本形式有两类：一类是并联型电路晶体振荡器一种是串联型电路晶体振荡器
- 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
- 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子扩散运动形成的。
- 各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
- 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
- 振荡器稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。
- 当OCL电路的最大输出功率为 1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于 1W。
- 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
- 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
- PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
- 硅二极管开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
- 功率放大电路的主要任务是向负载提供足够大的输出功率，因而采用微变效法来分析。
- 由于阻容耦合多级放大电路有耦合电容，所以不适合放大频率低的信号。
- N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
- OTL功率放大电路采用双电源供电。
- 根据通过和阻止信号频率范围的不同滤波器分为
- 不是差动放大电路的主要特点是
- 负反馈放大电路必须包含
- 根据滤波器通过或阻止的信号范围的不同，滤波器可以分为
- 双极型三极管工作在截止区的要求是
- 双极型三极管工作在放大区的要求是
- 关于串并联反馈，下列说法正确的是
- 下列复合管型为NPN型的是
- 双极型三极管工作在饱和区的要求是
- 理想集成运算放大器的主要特点是
- 根据幅频特性所表示的通过或阻止信号频率范围的不同，滤波器可分为
- 下列反馈方式中，能稳定输出电流的反馈类型是
- 直流稳压电源系统的组成部分包括
- 反馈的性质与类型有哪些
- 互补输出级采用射极输出方式不是为了
- 消除自激振荡的常用 方法的哪些
- 若反馈深度|1+AF|<1时，放大电路不是工作于（）状态。
图1-10所示电路出现故障，经测量得知VE=0，VC=VCC，故障的不可能原因为
- 稳压二极管能够工作在以下区域
- 关于晶体振荡器说法正确的是
- 在考虑放大电路的频率失真时，若vi为正弦波，则vo
- 选用运放电路的原因是
- 与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是
在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△vS1=80mV,△vS2=60mV,则差模输入电压△vid为
- 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是
- 双电源基本互补对称功率放大电路的简称是什么？
- http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201812/ab16178df866470788fea881d76474f5.png
- 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A1u和A2u，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（ ）。
- 当输入为正弦波时，若R1虚 焊，即开路，则输出电压
- 两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）
- P型半导体的多数载流子是
- https://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201908/a4ef56b9f33f4696aacce039af8e9ad3.png
- 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入
- 稳压二极管是利用PN结的（ ）来实现稳压性能的。
- 电容耦合放大电路 ( )信号。
- 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于
- 当温度升高时，二极管反向饱和电流将
- 集成运放制造工艺使得同类半导体管的
- 若D1 虚焊，则T1管（ ）
- http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201812/15f09bcc74b340a3a64ef8e96a773460.png
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:对
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A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:低通滤波器 B:带通滤波器 C:带阻滤波器 D:高通滤波器
A:有效放大共模信号，有力抑制差模信号； B:既抑制差模信号，又抑制共模信号。 C:有效放大差模信号，有力抑制共模信号； D:既放大差模信号，又放大共模信号
A:放大网络 B:比较电路 C:滤波网络 D:反馈网络
A:LPF B:BEF C:BPF D:HPF
A:发射结正偏 B:发射结反偏 C:集电结反偏 D:集电结正偏
A:集电结正偏 B:发射结正偏 C:发射结反偏 D:集电结反偏
A:并联反馈是指反馈信号与输入信号同一节点引入 B:判断串并联反馈要看反馈信号与输入信号的连接方式 C:串联反馈是指反馈信号与输入信号同一节点引入 D:并联反馈是指反馈信号与输入信号不同节点引入
A:PNP+PNP B:PNP+NPN C:NPN+PNP D:NPN+NPN
A:发射结反偏 B:集电结正偏 C:发射结正偏 D:集电结反偏
A:输出阻抗为 B:共模抑制比无穷大 C:开环差模电压放大倍数无穷大 D:输入阻抗无穷大
A:带阻滤波器 B:高通滤波器 C:低通滤波器 D:带通滤波器
A:电流并联负反馈 B:电流串联负反馈 C:电压串联负反馈 D:电压并联负反馈
A:稳压电路 B:整流电路 C:变压器 D:滤波电路
A:直流反馈与交流反馈 B:串联反馈和并联反馈 C:正反馈与负反馈 D:电压反馈与电路反馈
A:输出电流小 B:输出电阻增大 C:带负载能力强 D:电压放大倍数高
A:LC滞后补偿 B:密勒补偿 C:RC滞后补偿 D:电容滞后补偿
A:自激振荡 B:无反馈 C:负反馈 D:正反馈
A:
Rb1开路
B:Rc短路
C:Re短路
D:Rc开路
A:击穿区 B:死区 C:正向导通区 D:反向截止区
A:石英晶体振荡器特性好、安装方便 B:石英晶体振荡器频率可以随便调节 C:石英晶体振荡器是采用压电效应制成的 D:石英晶体振荡器可以构成并联形和串联型两种
A:不会产生线性失真 B:一定会产生非线性失真 C:可能产生幅度失真和相位失真 D:有可能产生相位失真
A:克服温漂 B:提高输入电阻 C:稳定放大倍数
A:效率高 B:无交越失真 C:不用输出端大电容 D:不用输出变压器
A:
10mV
B:70mV
C:20mV
D:140mV
A:输入电压信号过大 B:三极管电流放大倍数太大 C:晶体管输入特性的非线性 D:三极管电流放大倍数太小
A:OCL B:CLO C:OLC
A:改换β大的晶体管 B:减小基极偏置电阻RB C:增大基极偏置电阻RB D:增大集电极电阻RC
A:A1uA2u B:小于A1uA2u C:A1u+A2u D:大于A1uA2u
A:仅有负半波 B:仅有正半波 C:为正弦波
A:大于900 B:等于900 C:小于900 D:等于60
A:电子 B:电流 C:空穴 D:电荷
A:
处于放大区
B:已损坏
C:处于截止区
D:处于饱和区
A:共射电路 B:共基电路 C:共集电路 D:共集-共基串联电路
A:反向击穿特性 B:正向导通性 C:反向截止性 D:单向导电性
A:既能放大交流信号，也能放大直流信号 B:只能放大交流信号 C:只能放大直流信号 D:既不能放大交流信号，也不能放大直流信号
A:掺杂浓度 B:掺杂工艺 C:晶格缺陷 D:温度
A:减小 B:增大 C:不变 D:等于零
A:参数一致性好 B:指标参数准确 C:参数不受温度影响
A:始终饱和 B:可能因功耗过大烧坏 C:始终截止
A:放大电流 B:防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 C:调节IBQ D:调节ICQ
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