第七章测试
1.下列不属于霍尔元件基本特征参数的是( )
A:控制极内阻 B:不等位电阻 C:零点残余电压 D:寄生直流电动势
答案:C
2.制造霍尔元件的半导体材料中,目前使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是( )
A:半导体材料的电子迁移率比较大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:N型半导体材料比较适宜制造灵敏度比较高的霍尔元件。 D:半导体材料的霍尔常数比金属的大 3.磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量( )
A:加速度 B:光强 C:位移 D:速度 4.霍尔电动势与( )成反比
A:激励电流 B:霍尔器件宽度 C:磁感应强度 D:霍尔器件长度 5.为了提高磁电式加速度传感器的频响范围,一般通过下面哪个措施来实现( )
A:增加磁铁的质量 B:提高磁感应强度 C:减小系统的阻尼力 D:减小弹簧片的刚度

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