第五章单元测试
- 下列不属于霍尔元件基本特性参数的是（ ）。
- 制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。
- 磁电式传感器测量电路中引入积分电路是为了测量（ ）。
- 为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（ ）。
- 磁电式传感器测量电路中引入微分电路是为了测量（ ）。
- 霍尔电势与（ ）成反比。
- 霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ ）。
A:控制极内阻 B:不等位电阻 C:零点残余电压 D:寄生直流电动势
答案:零点残余电压
A:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:半导体材料的霍尔常数比金属的大
A:速度 B:光强 C:加速度 D:位移
A:减小弹簧片的刚度 B:减小系统的阻尼力 C:增加磁铁的质量 D:提高磁感应强度
A:光强 B:速度 C:位移 D:加速度
A:激励电流 B:霍尔器件长度 C:霍尔器件宽度 D:磁感应强度
A:激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配 B:周围环境温度变化 C:半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀 D:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
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