第三章测试1.
试判断下图(a)(b)所示管子工作在什么区。( )
A:饱和区、非饱和区 B:饱和区、饱和区 C:非饱和区、饱和区 D:非饱和区、非饱和区
答案:A
2.
如图所示曲线为某场效应管的输出特性曲线,它是哪一种类型的场效应管? ( )
A:P沟道增强型 B:N沟道耗尽型
C:P沟道耗尽型 D:N沟道增强型 3.已知 , 求ID。( )
图3-3
A:0.5mA B:2.0mA C:1.5mA D:1.0mA 4.
一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示,要求场效应管工作于饱和区,, 已知管子参数为,设,设计合理的电阻RS和RD的值。( )
A: B: C:
D: 5.
在下图所示电路中,假设两管μn、Cox相同,, ,若忽略沟道长度调制效应,并设T1管的沟道宽长比(W/l)是T2管的5倍,且T2管工作于饱和区。试问流过电阻R的电流IR值。 ( )
A:5mA B:3mA C:7mA
D:1mA
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