第七章单元测试
- 随机存取存储器具有（ ）功能。
- 存储容量为8K×8位的ROM存储器，其地址线为（ ）条。
- 只能按地址读出信息，而不能写入信息的存储器为（ ）
- 2K×16b的存储器芯片，其存储容量有（ ）
- 计算机的层次存储系统中，主存通常采用（ ）构成。
- 从开关速度方面考虑，DRAM芯片比SRAM芯片速度快。
- 静态存储器的存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。
- 从制造工艺上考虑，双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低，集成度高。
- 由于DRAM的存储单元的结构非常简单，所以它所能达到的集成度远高于SRAM。
- EPROM比E2PROM具有更快的擦除改写速度。
A:只写 B:无读/写 C:只读 D:读/写
答案:读/写
A:12 B:8 C:14 D:13
A:ROM B:PROM C:RAM D:EPROM
A:2000B B:4096B C:4000B D:2048B
A:E2PROM B:SRAM C:FLASH D:DRAM
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
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