第二章测试
1.晶闸管电流的波形系数定义为( )。
A:
B:Kf =IdT·IT
C:
D:Kf =IdT-IT

答案:A
2.晶闸管的伏安特性是指( )。
A:阳极电压与阳极电流的关系
B:门极电压与门极电流的关系
C:阳极电压与门极电流的关系
D:门极电压与阳极电流的关系
3.为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
A:吸收电路
B:du/dt抑制电路
C:di/dt抑制电路
D:抗饱和电路
4.过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。( )
A:对 B:错 5.选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以1.5-2。( )
A:错 B:对 6.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的( )。
A:额定电压
B:阈值电压
C:反向击穿电压
D:转折电压
7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。( )
A:错 B:对 8.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的封装结构有( )。
A:三角形
B:平板形
C:螺栓形
D:菱形
9.在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是阳极。( )
A:错 B:对 10.晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM大于UBO。( )
A:对 B:错

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