第一章单元测试
在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
PNP管工作于放大区的偏置条件是发射结正偏导通，集电结反偏。
晶体管工作于放大区时，流过发射结的电流主要是扩散电流。
PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）
稳压管的稳压区是其工作在（ ）
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）
当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（ ）
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:变窄
B:基本不变
C:变宽
答案:变窄
A:反向击穿
B:正向导通
C:反向截止
答案:反向击穿
A:前者正偏、后者也正偏
B:前者反偏、后者也反偏
C:前者正偏、后者反偏
答案:前者正偏、后者反偏
A:无穷大
B:微安数量级
C:0mA
D:毫安数量级
答案:0mA
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