第二章单元测试
- 在电力电子电路中，直接承担电能的变换和控制任务的电路模块为（ ）。
- IGBT器件为（ ）电力电子器件。
- 电力电子器件一般工作于（ ）两个状态。
- 电力电子器件损耗通常有（ ） 损耗。
- 电力电子器件只能用于处理高功率信号。（ ）
- 当电力二极管承受的反向电压过大时，二极管会被（ ）。
- 维持晶闸管导通的最小电流称为（ ）。
- 电力二极管的基本特性分为（ ）。
- 晶闸管由断态切换到通态的条件是（ ）。
- 晶闸管由断态切换到通态或由通态切换到断态需要一个时间过程，常用开通时间或关断时间来描述。（ ）
- 电力晶体管由通态切换到断态的条件是（ ）。
- 电力MOSFET是一种（ ）全控型器件。
- IGBT是结合了（ ）的优点。
- IGBT由断态切换到通达的条件是（ ）
- 电力MOSFET的GS引脚间的驱动电压不宜施加太大，否则会被击穿。（ ）
- 静电感应晶闸管SITH可以看作是SIT与GTO复合而成又被称为（ ）。
- 集成门极换流晶闸管IGCT容量与普通GTO相当，但（ ）比普通的GTO快10倍。
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料，典型的有（ ）。
- 功率集成电路的主要技术难点是高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。（ ）
A:主电路 B:控制电路 C:保护电路 D:检测电路
答案:主电路
A:电流控型 B:半控型 C:不可控型 D:全控型
答案:全控型
A:超导态 B:通态 C:断态 D:高阻态
答案:通态###断态
A:高阻 B:开关 C:断态 D:通态
答案:开关###断态###通态
A:对 B:错
答案:错
A:反向击穿 B:正向导通 C:截止 D:正向击穿
答案:反向击穿
A:保持电流 B:维持电流 C:导通电流 D:擎住电流
答案:维持电流
A:机械特性 B:功率特性 C:静态特性 D:动态特性
答案:静态特性###动态特性
A:G端有控制信号 B:AK引脚间承受正偏电压 C:GK间有正向电压 D:AK间承受反偏电压
答案:G端有控制信号###AK引脚间承受正偏电压
A:对 B:错
答案:对
A:基极B无驱动电流 B:E有驱动电流 C:CE间施加正偏电压 D:基极B有驱动电流
答案:基极B无驱动电流
A:电流驱动型 B:电压驱动型 C:功率驱动型 D:逻辑驱动型
答案:电压驱动型
A:MOSFET B:GTO C:GTR D:二极管
答案:MOSFET###GTR
A:CE引脚间施加反偏电压 B:GE引脚间施加正偏驱动电压 C:CE引脚间施加正偏电压 D:GC引脚间施加正偏驱动电压
答案:GE引脚间施加正偏驱动电压###CE引脚间施加正偏电压
A:对 B:错
答案:对
A:双向晶闸管 B:声电晶闸管 C:光电晶闸管 D:场控晶闸管
答案:光电晶闸管
A:开关速度 B:导通电阻 C:导通电压 D:导通电流
答案:开关速度
A:硅 B:碳化硅（SiC） C:金刚石变频 D:氮化镓（GaN）
答案:碳化硅（SiC）###金刚石变频###氮化镓（GaN）
A:对 B:错
答案:对
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