沈阳职业技术学院
- 三相桥式全控整流电路每隔60度换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通180度。（ ）
- 要使三相桥式全控整流电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，一个是共阴极的，另一个是共阳极的元件，且要求不是不在同一桥臂上的两个元件。（ ）
- IGBT是中小功率电力电子设备的主导器件。（ ）
- PWM波形只在单个极性范围内变换成可调频率的交流电的变流电路称为单级性调制电路。（ ）
- 下图为单结晶体管触发的交流调压电路。（ ）
- MATLAB软件Simulink模块可以实现电力电子技术的仿真电路模型搭建（ ）
- 单相半波可控整流电感性负载电路，触发脉冲的宽度要宽些，避免阳极电流未上升到擎住电流时，若触发脉冲已经消失，导致晶闸管无法导通。（ ）
- 无源逆变的过程为直流电→逆变器→交流电→交流电网。（ ）
- 晶闸管导通后，门级电压去掉，管子仍然能继续导通。（ ）
- 变压器漏抗使得换相不能在瞬间完成，导致输出电压波形发生畸变。（ ）
- 最小逆变角的确定与下列哪些因素有关。（ ）。
- 对于单结晶体管，下面描述正确的是（ ）
- 电力二极管的主要类型有（ ）。
- 电力电子器件的驱动电路与器件的连接方式有（ ）。
- 晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度称为（ ）。
- 普通晶闸管的额定电流是属于下面哪种电流值（ ）。
- 双向晶闸管是由（ ）层半导体材料制成。
- 单相桥式半控整流电阻性负载电路中，晶闸管的可控移相范围（ ）。
- 绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（ ）电力电子器件。
- 电力晶体管GTR的三个极分别为（ ）。
- 下图中（ ）为移相控制电位器，用于调节输出电压的大小。
- 双向晶闸管的T1极和T2极如下面（ ）设置时，伏安特性曲线是第Ⅰ象限特性。
- 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，应用最为广泛的是（ ）
- 电感性负载三相半波可控整流电路中，控制角的移相范围是（ ）。
- 单相全控桥式整流电感性负载电路中，接续流二极管后，晶闸管的可控移相范围（ ）。
- 某晶闸管测得其正向断态重复峰值电压值为７５０Ｖ，反向断态重复峰值电压值为６２０Ｖ，此器件铭牌上标出额定电压级别为（ ）。
- 电力场效应晶体管MOSFET的三个极分别为（ ）。
- 电力晶体管GTR属于（ ）电力电子器件。
- 三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（ ）。
- α为（ ）时，三相桥式全控可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
- 下面电路图中，（ ）是电风扇无极调速电路。
- 单相桥式半控整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（ ）。
- 三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（ ）。
- 若增大SPWM逆变器的输出电压基波幅值，可采用控制方法是（ ）
- 设三相电源的相电压为U2，三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的最大正、反向电压为（ ）。
- 单相半波可控整流电感性负载（接续流二极管）电路中，晶闸管的可控移相范围（ ）。
- 下面公式中，（ ）为单相全控桥式整流电阻性负载电路的输出直流平均电压。
- 下面公式中，（ ）为单相半波可控整流电感性负载（接续流二极管）电路的输出直流平均电压。
- 下面电路图中，（ ）是电机调速电路。
- 下面公式中，（ ）为单相桥式半控整流带电感性负载电路的输出直流电压平均值。
A:对 B:错
答案:A
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:A
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:A
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
A:安全裕量角。 B:控制角。 C:晶闸管关断时间。 D:换相重叠角。
A:具有2个基极，1个发射极。 B:单结晶体管的伏安特性共分三个区域：截止区、负阻区和饱和区。 C:两个基极之间的电阻ｒｂｂ＝ｒｂ１＋ｒｂ２，其中ｒｂ１是随发射极电流大小而变化的。 D:η为分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为0.3～0.9。
A:肖特基二极管 B:快速恢复二极管 C:整流二极管 D:GTO
A:光耦合器连接 B:脉冲变压器耦合连接 C:直接连接 D:强触发连接
A:触发角 B:换向重叠角 C:导通角 D:控制角
A:平均值 B:最大值 C:有效值 D:瞬时值
A:N-P-N-P-N五 B:N-P-N-P四 C:P-N-P-N四 D:N-P-N三
A:0～90° B:0～120° C:0～180° D:0～360°
A:三项都不是 B:不可控型 C:半控型 D:全控型
A:基极、集电极、发射极 B:集电极、栅极、发射极 C:栅极、源极、漏极 D:阳极、阴极、门极
A:RP2 B:RP1 C:R3 D:R4、C3
A:正、正 B:负、正 C:正、负 D:负、负
A:MOSFET B:GTR C:IGBT D:GTO
A:0°～150° B:0°～180° C:0°～120° D:0°～90°
A:0～90° B:0～120° C:0～360° D:0～180°
A:8级 B:7级 C:6级 D:5级
A:基极、集电极、发射极 B:阳极、阴极、门极 C:集电极、栅极、发射极 D:栅极、源极、漏极
A:三项都不是 B:不可控型 C:全控型 D:半控型
A:30°～120° B:60°～150° C:0°～90° D:90°～150°
A:120° B:0° C:30° D:60°
A:
A:60° B:360° C:180° D:120°
A:1.17U2 B:0.45U2 C:2.34U2 D:0.9U2
A:增大正弦调制波幅度 B:增大三角波幅度 C:增大三角波频率 D:增大正弦调制波频率
A:U2 B:2
U2
C:
U2
D:
U2
A:0～90° B:0～120° C:0～360° D:0～180°
A:
B:
C:
D:
A:
B:
C:
D:
A:
A:
B:
C:
D:
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