芯片基础--模拟集成电路设计答案2023秋

第二章测试

1.

MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

A:错 B:对
答案:A
2.

如果一个电路的最高电压是，最低电压是，那么NMOS器件的衬底应该接。

A:对 B:错 3.

一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。

A:错 B:对 4.

下列关于MOS版图说法不正确的是（）

A:

栅极的接触孔应该开在沟道区外

B:

版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

C:

版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

D:

源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则

5.

下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

A:

在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

B:

若，则 NMOS器件关断

C:

当时，NMOS器件导通

D:

NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压

6.

下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）

A:

当时，NMOS器件工作在截止区

B:

当_，时，NMOS器件工作在饱和区

C:

当，并且NMOS器件工作在线性区

D:

当时，且时，NMOS器件工作在深线性区

7.

下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

A:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

B:

一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

C:

tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

D:

L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

8.

下列关于体效应的说法，正确的是（）

A:

体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

B:

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

C:

改变衬底电势可能会产生体效应。

D:

源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。

9.

下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

A:

当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

B:

亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数

C:

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计

D:

MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在

10.

下列关于MOS模型的说法正确的有（）

A:

MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立

B:

MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数

C:

MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

D:

当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算