第四章测试1.半导体应变片根据的原理工作是（ ）。
A:压电效应 B:热阻效应 C:电阻应变效应 D:压阻效应
答案:D
2.在光作用下，使物体的内部产生定向电动势的现象，该效应是（ ）。
A:外光电 B:阻挡层光电 C:光生伏特 D:内光电 3.半导体电阻应变片在测量某一构件应变时，其电阻的相对变化主要引起（ ）。
A:半导体电阻率的变化 B:供桥电源的变化 C:贴片位置的温度变化 D:半导体几何尺寸的变化 4.压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，该效应称为（ ）。
A:压阻 B:压磁 C:压电 D:逆压电 5.以下传感器不能用于测位移的是（ ）
A:电容式传感器 B:超声波传感器 C:电涡流式传感器 D:霍尔传感器
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