1.下列关于晶界的说法哪种是错误的( )
A:晶界上原子的堆积较晶体内部疏松
B:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的
C:晶界是原子、空位快速扩散的主要通道
D:晶界易受腐蚀
答案:AI参考:关于晶界的说法中，错误的是晶界上原子的堆积较晶体内部疏松。晶界原子的堆积并没有比晶体内部疏松，而是晶体内部和晶界上的原子由于受力不同等原因，会有不同的排列。晶界是晶体中原子排列不规则的区域，是晶体中最重要的结构单元。晶界上原子的排列方式与晶体内部的原子不同，这导致了晶界上原子的特殊性质。晶界是原子、空位快速扩散的主要通道，这使得晶界在材料的物理、化学和机械性能方面扮演着重要的角色。晶界易受腐蚀是因为晶界上原子的特殊排列和晶界处的电化学性质。因此，答案是A：晶界上原子的堆积较晶体内部疏松。'
2.伯氏矢量垂直于位错线，能够改变材料体积的位错类型是（ ）
A:混合型位错
B:不全位错
C:刃型位错
D:螺型位错
答案:AI参考:正确选项是【D:螺型位错】。\n\n螺型位错是指位错线沿着某一方向运动，而伯氏矢量垂直于位错线，同时位错周围原子发生扭动。螺型位错能够改变材料的体积，例如在晶体中引入螺型位错可以引起材料的膨胀或缩小。而混合型位错、不全位错和刃型位错不会改变材料的体积。'
3.小角度晶界由位错构成，其中对称倾斜晶界由 （） 位错构成，扭转晶界由 （）位错构成。（ ）
A:螺型、刃型
B:螺型、螺型
C:刃型、刃型
D:刃型、螺型
答案:AI参考:正确答案是C：刃型、刃型。\n\n小角度晶界由位错构成，其中对称倾斜晶界由刃型位错构成，扭转晶界由刃型位错构成。因此，选项C是正确答案。选项A和B中的螺型位错和刃型位错分别指单晶体中原子沿一个螺旋方向排列的位错和位错中某一部分相对于另一部分发生平移的一种位错类型，与小角度晶界无关。选项D中的螺型和刃型位错与题干描述不符，因此不正确。'
4.立方晶系中，若位错线方向为[110]，b = a/2[10]，则此错位为 （）位错。（ ）
A:混合型位错
B:刃型位错
C:螺型位错
D:不全位错
答案:AI参考:在立方晶系中，[110]位错线方向为滑移方向，b = a/2[10]表示晶体在滑移过程中，其中一个晶面相对于另一个晶面错开了一半。根据位错线的特征，该位错为刃型位错。因此，正确答案是B：刃型位错。'
5.立方晶系晶体中(112)和(113)晶面同属于以下哪个晶带（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:AI参考:正确答案是 B: 晶带。\n立方晶系中晶面间距相等，且平行于某个轴的晶带系统称为晶带，所以(112)和(113)晶面同属于晶带B。因此答案为B。'
6.立方晶系晶体中(110)和(211)晶面同属于以下哪个晶带（ ）。
A:[110]
B:[100]
C:
D:[211]
答案:AI参考:正确答案是B：[100]。\n立方晶系中，晶面族[110]和[211]属于同一晶带，即[100]晶带。因此，答案为B。'
7.面心立方（FCC）结构的金刚石晶体中，一个晶胞中的原子数为（ ）。
A:6
B:8
C:2
D:4
答案:AI参考:正确答案是D：4。\n面心立方（FCC）结构的金刚石晶体中，每个顶点有一个碳原子，每个面心有一个碳原子，每个晶胞中含有的碳原子数为4个。因此，答案为D。'
8.根据鲍林规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（ ）。
A:2
B:6
C:8
D:4
答案:AI参考:正确答案是B。在离子晶体中，阴、阳离子的配位数指的是在晶胞中与阴、阳离子配位的其它离子数。配位数是一个数值，其表示与晶体的结构类型和组成离子有关。对于题中提到的MX2，假设X是该晶体中的离子，如果一价阴离子的配位数为8，那么X就在阳离子的周围均匀分布，而阳离子的配位数则为6。所以答案是B。\n\n以上答案仅供参考，希望对您有所帮助。'
9.CsCl晶体的结构中，Cs离子占据立方体晶胞的八个顶角位置，Cl离子占据立晶胞的体心位置，它属于哪种点阵（ ）。
A:体心立方
B:简单立方
C:密排六方
D:面心立方
答案:AI参考:正确答案是A：体心立方。\nCsCl晶体的结构中，Cs离子占据立方体晶胞的八个顶角位置，Cl离子占据立晶胞的体心位置，因此它属于体心立方点阵。'
10.
图中晶向的指数是（ ）
A:[102] B:[210] C:[012] D:[201]
答案:AI参考:正确答案是D，［201］。\n\n图中晶向的指数是从晶胞的一个顶点出发，沿着晶向走过的单位矢量与[001]轴之间的夹角，因此该晶向的指数为［201］。其他选项不符合晶向的定义。'
11.
图中晶面的指数为 （ ）。
A:(142) B:(421) C:(412) D:(124) 12.NaCl晶体属于（ ）
A:离子晶体 B:金属晶体 C:共价晶体 D:分子晶体 13.
正负离子半径比： 
正离子的配位多面体结构是（ ）。
A:三角形 B:正四面体 C:立方体 D:正八面体 14.下列属于{111}晶面族的晶面有（ ）。
A: B: C: D: 15.下列属于<123>晶向族的晶向有（ ）。
A: B: C: D: 16.
选项中属于晶带轴[110]的晶面有（ ）。
A: B: C: D: 17.逆扩散（上坡扩散）是（ ）进行扩散。
A:从低浓度区域向高浓度区域 B:从高温区域向低温区域 C:从低温区域向高温区域 D:从高浓度区域向低浓度区域 18.某位错的位错线与伯氏矢量平行且反向，则此位错为( )
A:正刃型位错 B:左螺型位错 C:右螺型位错 D:负刃型位错 19.立方晶系的晶体常数特征为（ ）。
A:a = b ≠ c，α = β = γ = 90° B:a ≠ b ≠ c，α ≠ β ≠ γ ≠ 90° C:a ≠ b ≠ c，α = β = γ = 90° D:a = b = c，α = β = γ = 90° 20.晶向指数与晶面指数满足[hkl]⊥(hkl)的晶系是（ ）。
A:三斜晶系 B:立方晶系 C:六方晶系 D:单斜晶系 21.下列不属于点缺陷的是( )。
A:空位 B:间隙原子 C:肖特基缺陷 D:孪晶界 22.钙钛矿型结构的化合物，在温度变化时会引起晶体结构的变化。( )
A:对 B:错 23.极化力反映了该离子极化周围其它离子的能力。( )
A:对 B:错 24.晶面指数代表了一组相互平行且无限大的晶面。( )
A:错 B:对 25.缺陷的产生，使晶体排列的混乱程度增加，熵变增大。（ ）
A:错 B:对 26.最紧密堆积原理可适用于金属晶体。( )
A:对 B:错 27.新材料被列为《中国制造2025》十大优先发展的重点领域之一。
A:错 B:对 28.材料的合成与加工包括材料制备、材料加工、表面工程和材料复合。( )
A:错 B:对 29.缺陷的产生，使晶体内能升高，所以有缺陷的晶体是不稳定的。（ ）
A:对 B:错 30.萤石的硬度、熔点和密度比NaCl更高。( )
A:对 B:错 31.分化过程产生的低聚合物可以相互发生缩聚作用，形成级次较高的聚合物，同时释放出Na2O。（ ）
A:对 B:错 32.离子晶体中，正离子的配位数越多越稳定。( )
A:对 B:错 33.滑移后晶体位向不发生变化，而孪生则会使晶体位向发生变化。（ ）
A:错 B:对 34.对大多数晶体来说，质点间的结合力属于综合性的。( )
A:错 B:对 35.玻璃形成的热力学条件可以用来判断玻璃能否形成。（ ）
A:错 B:对 36.在钛酸钙晶体中，钙离子与钛离子一起形成面心立方堆积。( )
A:错 B:对 37.极化率反映了离子被极化的难易程度，即变形性的大小。( )
A:错 B:对 38.六方晶系中，晶面和晶向的4个指数全部都是独立的。( )
A:对 B:错 39.在等径球最紧密堆积中，八面体空隙尺寸大于四面体空隙。( )
A:错 B:对 40.大多数AX化合物都属于NaCl型结构。( )
A:错 B:对 41.ZnS晶体中，Zn-S键带有相当程度的共价键性质。( )
A:对 B:错 42.我国新材料重点发展方向包括（ ）。
A:关键战略材料 B:前沿新材料 C:先进基础材料 D:工程结构材料 43.关于不同类型晶体的滑移，下列说法正确的是（ ）。
A:离子晶体中正负离子吸引，滑移困难 B:共价晶体质点结合力大，滑移困难 C:金属晶体中滑移系统越多，滑移越容易 D:金属晶体质点结合无方向性和饱和性，滑移容易 44.离子晶体中，影响正离子配位数的因素有（ ）。
A:正离子类型 B:温度和压力 C:正负离子半径比 D:离子极化 45.达到平衡的硅酸盐熔体中含有（ ）。
A:低聚物 B:三维晶格碎片 C:高聚物 D:游离碱 46.离子晶体中，配位多面体形状有（ ）。
A:立方体 B:四面体 C:平面三角形 D:八面体 47.下列属于晶带轴[100]的晶面有（ ）。
A:(012) B:(100) C:(011) D:(021) 48.对于置换型固溶体仅从离子尺寸考虑，当Δ=(r1-r2)/r1分别为<15%，>30%时，溶质和溶剂之间（ ）
A:可以生成化合物 B:不生成固溶体 C:可以生成连续型固溶体 D:可以生成有限型固溶体 49.空间利用率为0.74的晶胞有（ ）。
A:六方晶胞 B:面心立方晶胞 C:体心立方晶胞 D:简单立方晶胞 50.根据单键能的大小，可将不同氧化物分为（ ）。
A:玻璃网络形成体 B:表面活性组分 C:网络改变体 D:网络中间体 51.下列属于等径球体最紧密堆积方式的有（ ）。
A:六方 B:面心立方 C:体心立方 D:简单立方 52.下列属于
晶向族的晶向有（ ）。
A:[101] B:[110] C:[010] D:[100] 53.当液体在固体表面的接触角为60度时，此时使表面粗糙度变大，液体与固体的润湿性能（ ）。
A:不变 B:变差 C:不确定 D:变好 54.下列关于晶面指数和晶面间距的说法，正确的是（ ）
A:低指数的面间距较小 B:高指数的晶面间距较大 C:高指数的晶面间距较小 D:晶面间距与晶面指数无关 55.在书写点缺陷符号时，右上标为•表示带（ ）个电荷。
A:+2 B:+3 C:+1 D:-1 56.对于置换型固溶体仅从离子尺寸考虑，当Δ=(r1-r2)/r1>30%时，溶质和溶剂之间（ ）
A:可以生成化合物 B:不生成固溶体 C:可以生成连续型固溶体 D:可以生成有限型固溶体 57.面心立方晶胞中的八面体空隙数为（ ）
A:6 B:8 C:10 D:4 58.在硅酸盐晶体中，硅氧四面体的顶点，即氧离子最多被（ ）个硅氧四面体所共用。
A:2 B:6 C:4 D:1 59.在加热时，六方ZnS晶体两端出现电压的现象称为（ ）
A:声电效应 B:热释电性 C:电光效应 D:铁电效应 60.密排六方晶胞中的配位数分别是（ ）
A:12 B:16 C:8 D:10 61.鲍林规则是用于判断离子化学结构稳定性的（ ）条规则。
A:5 B:7 C:3 D:9 62.A3型晶体结构是（ ）
A:面心立方 B:体心立方 C:简单立方 D:密排六方 63.三条棱边相等、三个夹角都等于90°的晶系是（ ）
A:正交 B:三方 C:立方 D:四方 64.体心立方晶胞中的原子数是（ ）
A:2 B:4 C:6 D:4 65.氧化硼的引入使硅酸盐熔体粘度（ ）。
A:先升高后降低 B:升高 C:先降低后升高 D:降低 66.实际晶体结构中，位错的伯氏矢量不能是任意的，它要符合晶体的（ ）。
A:对称性 B:等同性 C:能量条件 D:结构条件 67.晶面指数表示（ ）。
A:不同晶面的指数肯定不同 B:晶体中所有平行的晶面 C:晶体中一个晶面 D:晶面的指数是唯一的 68.按照结构特点，相界面可以分为哪几类？（ ）
A:孪晶界 B:共格界面 C:半共格界面 D:非共格界面 69.影响置换固溶体的固溶度的因素有（ ）。
A:组元晶体结构 B:电子浓度 C:电负性 D:原子半径差 70.立方晶系包括哪些点阵类型（ ）。
A:体心立方 B:面心立方 C:简单立方 D:底心立方 71.密排六方结构式纯金属的基本晶体结构之一，也是布拉菲点阵中的一种。（ ）
A:错 B:对 72.温度较低时晶界扩散激活能比体扩散激活能大得多，体扩散起主导作用。 （ ）
A:错误 B:正确 73.晶粒尺寸越小，金属的晶界面积越多，晶界扩散对扩散系数的贡献就越大。 （ ）
A:正确 B:错误 74.立方晶系的布拉菲点阵中不包含底心点阵。（ ）
A:错误 B:正确 75.对于正刃型位错来说，半原子面缩短的为正攀移。（ ）
A:错 B:对 76.只要符合能量条件就可以发生位错反应。（ ）
A:对 B:错 77.两平行螺型位错之间的作用力一定是吸引力。（ ）
A:错 B:对 78.按照不同法则，点阵中可以选取多种不同的基本单元体。（ ）
A:对 B:错 79.位错的滑移和攀移都是塑性变形的主要机制。（ ）
A:正确 B:错误 80.H和C原子在γ-Fe中的扩散机制为空位扩散机制。（ ）
A:错误 B:正确 81.所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型位错，也可以是螺型位错。（ ）
A:错 B:对 82.对于刃型位错，其伯氏矢量垂直于位错线，其位错滑移方向平行于伯氏矢量。（ ）
A:错误 B:正确 83.对于多晶体材料，扩散物质通常可以沿三种途径扩散，即晶内扩散、晶界扩散和表面扩散。（ ）
A:对 B:错 84.共价键的结合力比较大，共价晶体熔点高，质地硬脆，导电能力强。 （ ）
A:错误 B:正确 85.刃型位错的位错线平行于滑移方向。（ ）
A:正确 B:错误 86.交滑移是交替滑移的简称。（ ）
A:正确 B:错误 87.空间点阵具有周期性和等同性。（ ）
A:错 B:对 88.空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型。（ ）
A:错 B:对 89.扩散是固体中物质传输(原子迁移)的唯一方式。（ ）
A:错 B:对 90.两个原子结合时的位能越低，则原子结合键越强。（ ）
A:对 B:错
