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材料科学基础（上）
- 钙钛矿型结构的化合物，在温度变化时会引起晶体结构的变化。( )
- 极化力反映了该离子极化周围其它离子的能力。( )
- 晶面指数代表了一组相互平行且无限大的晶面。( )
- 缺陷的产生，使晶体排列的混乱程度增加，熵变增大。（ ）
- 最紧密堆积原理可适用于金属晶体。( )
新材料被列为《中国制造2025》十大优先发展的重点领域之一。
- 材料的合成与加工包括材料制备、材料加工、表面工程和材料复合。( )
- 缺陷的产生，使晶体内能升高，所以有缺陷的晶体是不稳定的。（ ）
- 萤石的硬度、熔点和密度比NaCl更高。( )
- 分化过程产生的低聚合物可以相互发生缩聚作用，形成级次较高的聚合物，同时释放出Na2O。（ ）
- 离子晶体中，正离子的配位数越多越稳定。( )
- 滑移后晶体位向不发生变化，而孪生则会使晶体位向发生变化。（ ）
- 对大多数晶体来说，质点间的结合力属于综合性的。( )
- 玻璃形成的热力学条件可以用来判断玻璃能否形成。（ ）
- 在钛酸钙晶体中，钙离子与钛离子一起形成面心立方堆积。( )
- 极化率反映了离子被极化的难易程度，即变形性的大小。( )
- 六方晶系中，晶面和晶向的4个指数全部都是独立的。( )
- 在等径球最紧密堆积中，八面体空隙尺寸大于四面体空隙。( )
- 大多数AX化合物都属于NaCl型结构。( )
- ZnS晶体中，Zn-S键带有相当程度的共价键性质。( )
图中晶向的指数是（ ）
- 当液体在固体表面的接触角为60度时，此时使表面粗糙度变大，液体与固体的润湿性能（ ）。
- 下列关于晶面指数和晶面间距的说法，正确的是（ ）
- 在书写点缺陷符号时，右上标为•表示带（ ）个电荷。
图中晶面的指数为 （ ）。
- NaCl晶体属于（ ）
- 对于置换型固溶体仅从离子尺寸考虑，当Δ=(r1-r2)/r1>30%时，溶质和溶剂之间（ ）
- 面心立方晶胞中的八面体空隙数为（ ）
- 在硅酸盐晶体中，硅氧四面体的顶点，即氧离子最多被（ ）个硅氧四面体所共用。
图中 晶向的指数为（ ）
- 在加热时，六方ZnS晶体两端出现电压的现象称为（ ）
- 密排六方晶胞中的配位数分别是（ ）
- 鲍林规则是用于判断离子化学结构稳定性的（ ）条规则。
正负离子半径比：
正离子的配位多面体结构是（ ）。正负离子半径比：
正离子的配位数是（ ）- A3型晶体结构是（ ）
- 三条棱边相等、三个夹角都等于90°的晶系是（ ）
- 体心立方晶胞中的原子数是（ ）
- 氧化硼的引入使硅酸盐熔体粘度（ ）。
- 我国新材料重点发展方向包括（ ）。
- 关于不同类型晶体的滑移，下列说法正确的是（ ）。
- 下列属于晶带轴[111]的晶面有（ ）。
- 离子晶体中，影响正离子配位数的因素有（ ）。
- 下列属于<123>晶向族的晶向有（ ）。
- 达到平衡的硅酸盐熔体中含有（ ）。
- 下列具有反萤石型结构的化合物有（ ）。
- 离子晶体中，配位多面体形状有（ ）。
- 下列属于晶带轴[100]的晶面有（ ）。
晶体中， 
作面心立方堆积，如图所示，下列说法正确的是（ ）。
- 对于置换型固溶体仅从离子尺寸考虑，当Δ=(r1-r2)/r1分别为<15%，>30%时，溶质和溶剂之间（ ）
- 空间利用率为0.74的晶胞有（ ）。
- 根据单键能的大小，可将不同氧化物分为（ ）。
- 立方ZnS结构中硫离子作面心立方堆积，如图所示，下列说法正确的是（ ）。
- 已知在真空下的氧化铝表面能约为
，液态铁的表面张力为
，同样条件下液态铁－氧化铝的界面能为
，下面正确的是（ ）。 选项中属于晶带轴[110]的晶面有（ ）。
- 下列属于等径球体最紧密堆积方式的有（ ）。
- 下列属于<100>晶向族的晶向有（ ）。
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:[102] B:[210] C:[012] D:[201]
AI参考:正确答案是D，［201］。图中晶向的指数是从晶胞的一个顶点出发，沿着晶向走过的单位矢量与[001]轴之间的夹角，因此该晶向的指数为［201］。其他选项不符合晶向的定义。'
A:不变 B:变差 C:不确定 D:变好
A:低指数的面间距较小 B:高指数的晶面间距较大 C:高指数的晶面间距较小 D:晶面间距与晶面指数无关
AI参考:关于晶面指数和晶面间距的说法，正确的是晶面间距与晶面指数无关。晶面指数是通过晶面方向和晶格空间点阵的关系来确定的，它只表示晶面在三维空间的方向和位置，而不涉及晶面间距。晶面间距的大小取决于晶体的结构和晶体的取向，与晶面指数无关。因此，本题的正确选项应为D：晶面间距与晶面指数无关。'
A:+2 B:+3 C:+1 D:-1
AI参考:正确答案是C：+1。书写点缺陷符号时，右上标为•表示带一个电荷。因此，选项C是正确答案。选项A、B、D都表示带多个电荷，不符合题意。'
A:(142) B:(421) C:(412) D:(124)
AI参考:正确答案是C：(412)。图中晶面指数的确定方法是(hkl)的数值乘以3再加上指数(比如晶面(123)的指数就是(1*3+2*1+3*2)=6+2+6=14)。所以图中晶面的指数为(412)，答案为C。'
A:离子晶体 B:金属晶体 C:共价晶体 D:分子晶体
AI参考:正确答案是A：离子晶体。氯化钠晶体是由钠离子和氯离子通过离子键结合而成的离子晶体。金属晶体是由金属离子和自由电子通过金属键结合而成的。共价晶体是由原子通过共价键结合而成的。分子晶体是由分子通过分子间作用力结合而成的。根据题意，氯化钠晶体是由离子键结合而成的，因此属于离子晶体。'
A:可以生成化合物 B:不生成固溶体 C:可以生成连续型固溶体 D:可以生成有限型固溶体
A:6 B:8 C:10 D:4
A:2 B:6 C:4 D:1
A:[010] B:[011] C:[110] D:[101]
AI参考:正确答案是【B】[011]。根据题干中给出的晶向图，可以确定晶向为[100]和[110]的组合，即[011]。选项中只有B符合要求，因此答案为B。'
A:声电效应 B:热释电性 C:电光效应 D:铁电效应
AI参考:在加热时，六方ZnS晶体两端出现电压的现象称为热释电性。热释电性是指晶体在受热时，由于热运动导致晶体表面原子层之间的极化，产生电偶极矩的现象。在加热时，六方ZnS晶体两端出现电压的现象就是热释电性的表现。其他选项中，声电效应、电光效应和铁电效应都与加热时六方ZnS晶体两端出现电压的现象没有直接关系。因此，正确答案是B：热释电性。'
A:12 B:16 C:8 D:10
A:5 B:7 C:3 D:9
A:三角形 B:正四面体 C:立方体 D:正八面体
AI参考:正确答案是D：正八面体。根据题干所给的图片，正负离子半径比为2:3，因此正离子应该是正八面体结构。因此，答案为D。'
A:3 B:4 C:8 D:6
A:面心立方 B:体心立方 C:简单立方 D:密排六方
AI参考:正确选项为D：密排六方。A3型晶体结构是金属晶体的一种结构类型，其特点是在立方体的八个角上各有一个金属原子，在立方体每个顶点上有一个配位原子，而在立方体体对角线上的中点有一个未配位的原子，所以也称为“密排六方”结构。因此，选项D“密排六方”是正确答案。'
A:正交 B:三方 C:立方 D:四方
A:2 B:4 C:6 D:4
A:先升高后降低 B:升高 C:先降低后升高 D:降低
AI参考:正确答案是B：升高。氧化硼的引入使硅酸盐熔体粘度升高。氧化硼是硅酸盐水泥中提高早期强度和耐水性的主要组分。氧化硼与硅酸盐熔体中的钙离子形成可溶性的硅酸三硼酸钙和硅酸二硼钙，导致体系粘度下降，形成早期水化产物速度加快，硅酸盐熔体中未水化的硅酸三钙数量增多，这些硅酸三钙水化放热速度快、时间长，引起温度上升幅度大，并形成粘度较大的液相，从而硅酸盐熔体粘度增大。因此氧化硼的引入使硅酸盐熔体粘度升高。'
A:关键战略材料 B:前沿新材料 C:先进基础材料 D:工程结构材料
A:离子晶体中正负离子吸引，滑移困难 B:共价晶体质点结合力大，滑移困难 C:金属晶体中滑移系统越多，滑移越容易 D:金属晶体质点结合无方向性和饱和性，滑移容易
AI参考:正确选项为：C:金属晶体中滑移系统越多，滑移越容易金属晶体是由金属阳离子和自由电子构成的，可以认为质点之间以金属键结合，由于自由电子的存在，金属晶体的滑移系统远比离子晶体和共价晶体的容易，且具有明显的方向性和饱和性。金属晶体质点结合无方向性和饱和性，滑移容易。A选项错误，离子晶体中质点之间的作用力主要是离子键，键能高，质点之间结合力强，滑移困难。B选项错误，共价晶体的质点主要是原子或分子，它们之间的作用力是共价键，由于共价键键能高，滑移困难。D选项，虽然金属晶体质点之间具有方向性和饱和性，但由于金属具有这种性质的主要原因是因为自由电子的存在，而不是因为这种性质本身的特点导致的。因此不能说这种性质使得滑移容易或困难。所以本题选C。这个问题的关键是理解不同类型的晶体的性质以及质点间作用力的特点。同时注意分析题干所给出的选项并对照不同的晶体的性质，最后确定选项的正确性。'
A: B: C: D:
A:正离子类型 B:温度和压力 C:正负离子半径比 D:离子极化
A: B: C: D:
AI参考:正确选项为：C: 123晶向族中的晶向为：1/a，b/a，c/a。晶向族是根据晶体的晶胞类型来划分的，对于面心立方晶胞，其晶向族包括：1/a，B/a，C/a，D/a等。因此，C选项为123晶向族中的晶向，即c/a。而其他选项不属于面心立方晶胞的晶向族。'
A:低聚物 B:三维晶格碎片 C:高聚物 D:游离碱
AI参考:正确选项为：C，D。硅酸盐熔体在达到平衡后，其中的成分是三维晶格碎片、高聚物以及游离碱。C和D选项正确。硅酸盐熔体一般指以二氧化硅为骨架，与金属元素和氢、氧等结合形成的硅酸盐混合物。硅酸盐熔体达到平衡后，其中的低聚物和高聚物是其重要组成部分，而三维晶格碎片则表示硅酸盐晶体在熔化过程中晶体结构遭到破坏，但仍存在部分晶格。游离碱则是由于含有一定量的碱金属或碱土金属的氧化物而形成的。因此，C和D选项为正确答案。'
A: B: C: D:
A:立方体 B:四面体 C:平面三角形 D:八面体
A:(012) B:(100) C:(011) D:(021)
A:配位数为8 B:配位数为4 C:占据所有八面体间隙 D:占据所有四面体间隙
A:可以生成化合物 B:不生成固溶体 C:可以生成连续型固溶体 D:可以生成有限型固溶体
A:六方晶胞 B:面心立方晶胞 C:体心立方晶胞 D:简单立方晶胞
A:玻璃网络形成体 B:表面活性组分 C:网络改变体 D:网络中间体
AI参考:正确选项为：D：网络中间体。网络中间体键能较大，不具有很强的氧化性或还原性，是生成氧化物与生料形成刚玉的过渡产物。其它选项与题意不符。例如：玻璃网络形成体通常是B2O3；表面活性组分主要指可溶性盐类和极性物质，可用于改变料浆中物化性质，分散矿化，增强剂效应等；网络改变体常与热敏性原料矿物反应生成非晶体产物或导致粘度波动；但都不是依据键能大小分类的。'
A:阳离子占据一半四面体间隙 B:Zn-S键带有相当程度的共价键性质 C:阳离子占据一半八面体间隙 D:正、负离子配位数都是4
A:液体能润湿固体 B:液体不能润湿固体 C:接触角小于90度 D:接触角大于90度
A: B: C: D:
AI参考:正确选项为C和D。晶带轴[110]指的是沿着[110]方向上运动的晶面。根据晶体的晶胞结构，对于面心立方晶胞，其[110]轴晶面为底面和侧面，因此属于[110]轴的晶面为底面和侧面上的晶面。因此选项C和D是符合要求的晶面。'
A:六方 B:面心立方 C:体心立方 D:简单立方
A:[101] B:[110] C:[010] D:[100]
AI参考:正确选项为：A：[101]，B：[110]，C：[010]。属于晶向族的晶向包括：101、110、010晶向。其中，选项D中的[100]晶向不属于晶向族。'
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