第一章单元测试
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________,而少数载流子的浓度与_________关系十分密切。（ ）
- 设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将____。（ ）
- 以下选项表述正确的有（ ）
- 下面关于PN结的说法正确的有（ ）
- 用直流电压表测得放大电路中某三极管各级电位分别是2V,6V,2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。（ ）
- Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）
- 以下表述正确的是（ ）
- 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。（ ）
- 当发射结和集电结都正向偏置时，三极管工作在放大状态。（ ）
- NPN型晶体三极管中，电子是主要的载流子。（ ）
A:掺杂工艺 温度 B:杂质浓度 温度 C:温度 掺杂工艺 D:半导体体积 杂质浓度
答案:杂质浓度 温度
A:大于10mA， B:等于10mA C:小于10mA，
答案:大于10mA，
A:二极管上电压与电流无关 B:测得在某放大电路中的三极管的管脚电压分别为Va＝1.2V,Vb＝0.5V,Vc＝3.6V,该三极管是以硅管为材料的NPN型，且集电极为a.b.c中c端 C:二极管具有电容效应 D:二极管重要特性是单向导电性
答案:测得在某放大电路中的三极管的管脚电压分别为Va＝1.2V,Vb＝0.5V,Vc＝3.6V,该三极管是以硅管为材料的NPN型，且集电极为a.b.c中c端###二极管具有电容效应###二极管重要特性是单向导电性
A:PN结接反向电压时形成的漂移电流与温度有关 B:PN结加正向电压有较大的正向扩散电流，PN结导通且呈现低电阻 C:PN结接正向电压时，正极接N，负极接P D:PN结接反向电压时，存在很小的漂移电流，PN结截止，呈现高阻态
答案:PN结接反向电压时形成的漂移电流与温度有关###PN结加正向电压有较大的正向扩散电流，PN结导通且呈现低电阻###PN结接反向电压时，存在很小的漂移电流，PN结截止，呈现高阻态
A:PNP B:B C E C:E C B D:NPN E:C B E
答案:E C B###NPN
A:增强型MOS管 B:N沟道结型场效应管 C:P沟道结型场效应管 D:耗尽型MOS管
答案:N沟道结型场效应管###P沟道结型场效应管###耗尽型MOS管
A:晶体管工作于饱和区时，发射结正偏，集电结反偏 B:PN结加正向电压截止，加反向电压导通 C:稳压二极管工作于反向击穿区 D:N沟道结型的夹断电压小于0
答案:稳压二极管工作于反向击穿区###N沟道结型的夹断电压小于0
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:对
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