第二章 电力电子器件:电力电子器件的概念、特点、分类以及各种常用电力电子器件的结构、工作原理2.1电力电子器件概述:电力电子器件的概念、特点、分类以及各种常用电力电子器件的结构、工作原理,电力电子器件的概念、分类以及与处理信息的电子器件不同的特征
2.2电力二极管的工作原理:电力二极管的内部结构、工作原理
2.3晶闸管的结构与工作原理:晶闸管的内部结构以及它的工作原理
2.4典型全控型器件:GTO的结构和工作原理, GTR的结构和工作原理, 电力MOSFET的结构和工作原理, IGBT的结构和工作原理
2.5电力电子器件的驱动:电力电子器件的驱动
[判断题]电力电子驱动电路必须提供控制电路与主电路之间的电气隔离,一般采用光隔离与磁隔离。


答案:对
[判断题]电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。


答案:错
[判断题]电力MOSFET栅源电压不能大于10伏,否则将导致绝缘层击穿


答案:对
[单选题]可关断晶闸管(gto)是一种(      )结构的半导体器件
三层二端
三层三端
四层三端
五层三端
答案:四层三端
[单选题]晶闸管导通的条件是(      )
阳极加反向电压,门极有负向脉冲
阳极加反向电压,门极有正向脉冲
阳极加正向电压,门极有正向脉冲
阳极加正向电压,门极有负向脉冲
答案:阳极和阴极之间加正向电压,控制极和阴极之间加正向电压
[单选题]晶闸管内部有(     )PN结。
三个
二个
四个
一个
答案:三个
[单选题]单结晶体管内部有(     )个PN结
二个
三个
四个
一个
答案:二个
[单选题]功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(     )
反向截止
一次击穿
临界饱和
二次击穿
答案:二次击穿
[多选题]下列电力电子器件中,属于电压驱动型的是(     )
IGBT
GTO
GTR
SCR
答案:GTRIGBT
[多选题]下列器件中,属于电流型驱动的是(     )
IGBT
GTO
SCR
GTR
答案:SCRGTO

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