第六章测试
1.关于霍尔电压,下列说法错误的是( )
A:与控制电流和磁场强度的乘积成正比 B:与材料尺寸无关 C:与材料性质有关 D:与霍尔常数有关
答案:B
2.磁电感应式传感器是以( )原理为基础的
A:压电效应 B:霍尔效应 C:电磁感应 D:压阻效应 3.霍尔传感器的灵敏度与霍尔系数成 ,而与元件厚度成 。( )
A:反比 正比 B:正比 正比 C:反比 反比 D:正比 反比 4.关于霍尔传感器,下列说法不正确的是( )
A:所施加的磁场为交变磁场,霍尔电势为同频率的交变电势 B:当控制电流或者磁场其中之一方向变化时,输出电动势方向不变 C:当磁场方向垂直于霍尔元件时,霍尔电势与电流和磁场强度的乘积成正比 D:当磁场方向不垂直于霍尔元件时,霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(也就是与薄片垂直的方向)的分量 5.关于霍尔元件的制造,下列说法正确的是( )
A:任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,都可以制造霍尔元件 B:半导体材料电阻率较大,电子迁移率适中,非常适合做霍尔元件 C:半导体中电子迁移率一般大于空穴的迁移率,霍尔元件多采用P型半导体 D:金属材料因电子浓度n很高,所以更适合制造霍尔元件 6.关于磁敏元件,下列说法不正确的是( )
A:为了获得大的磁阻效应,一般将磁敏电阻制成圆形或扁条长方形 B:磁敏电阻与霍尔元件属同一类,具有识别磁极的能力 C:磁敏二极管具有正反磁灵敏度 D:磁敏电阻磁场越强,电阻增大的越明显 7.磁电作用主要分为( )
A:电磁感应 B:霍尔效应 C:闭磁路 D:开磁路 8.恒磁通磁电感应式传感器的结构可分为( )
A:开磁路 B:闭磁路 C:动铁式 D:动圈式 9.磁电感应式传感器可测量的物理量包括( )
A:振动 B:扭矩 C:转速 D:位移 10.霍尔式传感器可用于测量( )
A:加速度 B:压力 C:微位移 D:转速

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