模拟电子技术（山东联盟）答案2023

第一章测试

1.

如图所示电路是哪种半导体的电路模型。（）

A:N型半导体 B:P型半导体 C:杂质半导体 D:本征半导体
答案:B
2.

当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（   ）。

A:减小 B:增大 C:不变
D:无法确定
答案:A
3.

当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（   ）。

A:增大 B:减小 C:无法确定 D:不变
答案:A
4.

一场效应管的符号如下所示，它是（   ）。

A:N沟道耗尽型 B:N沟道增强型 C:P沟道增强型 D:P沟道耗尽型
答案:A
5.

时，能够工作在恒流区的场效应管有（   ）。

A:N沟道耗尽型MOS管 B:结型场效应管 C:P沟道增强型MOS管 D:N沟道增强型MOS管
答案:AB
6.

在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。

A:错 B:对
答案:B
7.

本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。（   ）

A:对 B:错
答案:A
8.

PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

A:错 B:对
答案:B
9.

因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）

A:错 B:对
答案:A
10.

三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。

A:发射结正偏，集电结也正偏 B:发射结正偏，集电结反偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏
答案:B