第二章单元测试
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（ ）
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）状态。
现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（ ）。
在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（ ）耦合不能放大直流信号。
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:6 B:0.7 C:12 D:0.5
答案:12
A:饱和 B:击穿 C:截止 D:放大
答案:截止
A:4.03 B:6 C:4.24 D:5.7
答案:4.03
A:<1200 B:= -1200 C:=1200 D:>1200
答案:<1200
A:100 B:40 C:10
答案:100
A:共源电路 B:共射电路 C:共漏电路 D:共集电路 E:共基电路
答案:共源电路###共射电路###共漏电路###共集电路
A:
B:
C:
D:
答案:
###### A:变压器 B:阻容 C:直接
答案:变压器###阻容
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