第三章单元测试
  1. 过冷度越大,凝固相变驱动力越小。


  2. A:对 B:错
    答案:错
  3. 液相原子需具备一定的自由能才能结晶。


  4. A:错 B:对
  5. 均质形核是游离原子集团逐渐长大,形成晶核的过程。


  6. A:对 B:错
  7. 均质形核临界半径是过冷熔体中,晶胚发展为晶核所需尺寸。


  8. A:错 B:对
  9. 临界形核功是表面自由能与体积自由能差值的最小值。


  10. A:对 B:错
  11. 过冷度增大,形核率上升。


  12. A:对 B:错
  13. 异质形核的临界半径大于均质形核的临界半径。


  14. A:对 B:错
  15. 异质形核的临界形核功大于均质形核的临界形核功。


  16. A:错 B:对
  17. 异质形核率一直体现增大趋势。


  18. A:对 B:错
  19. 凹面最不利于异质形核,凸面有利于形核。


  20. A:错 B:对
  21. 原子堆砌方式取决于晶体结构。


  22. A:错 B:对
  23. 粗糙界面Jackson 因子α≤2。


  24. A:对 B:错
  25. 过冷度越大,界面生长速度快,易形成粗糙界面


  26. A:错 B:对
  27. 固液界面结构决定了生长方式的差异。


  28. A:对 B:错
  29. 侧向生长是粗糙界面生长方式。


  30. A:对 B:错

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