第八章测试1.利用在光线作用下光电子逸出物体表面的 效应,代表元件有 。（ ）
A:光电导 光敏电阻 B:光生伏特 光电管
C:外光电 光敏电阻 D:外光电 光电倍增管
答案:D
2.利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的 效应，代表元件有 。（ ）
A:光电导 光敏电阻 B:光生伏特 光电管
C:外光电 光电倍增管
D:外光电 光敏电阻 3.利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的 效应，代表元件有 。（ ）
A:光生伏特 光电管
B:光生伏特 光电池 C:外光电 光电倍增管
D:光电导 光敏电阻 4.下列光电器件不属于基于内光电效应制成的是（ ）。
A:光敏二极管
B:光电池 C:光敏电阻 D:光电管 5.要使光电管中的自由电子逸出，频率不能 ，波长也不能 。（ ）
A:太低 太短
B:太高 太短 C:太低 太长 D:太高 太长 6.下列关于内光电效应中的说法不正确的是（ ）
A:又分为光电导效应和光生伏特效应
B:当PN结不加偏压时光照射在PN结上，在P区和N区之间产生电压，这是光生电动势
C:几乎所有的高电阻率半导体都有光电导效应
D:PN结处于正偏时，无光照时电流很小，有光照时形成光电流
7.电流增益加大，不能直接接受强光照射，通常密封使用的光电器件是（ ）
A:光敏二极管
B:光电管 C:光电倍增管 D:光敏电阻 8.关于发光二极管和光敏二极管的下列说法，不正确的是（ ）
A:发光二极管是基于光电导效应而工作的
B:发光二极管与光敏二极管工作原理不同
C:发光二极管加正向电压时P-N结发射一定频率的光信号
D:发光二极管是一种将电能转换为光能的器件
9.关于光敏电阻的下列说法，正确的是（ ）
A:光照停止时，自由电子与空穴复合，电阻恢复原值
B:无光照时，器件内部电子被原子束缚，具有很高的电阻值
C:有光照时，电阻值随光强增加而降低
D:光敏电阻的工作原理是光生伏特效应
10.光电池种类很多，包括（ ）
A:硅光电池 B:锗光电池 C:砷化镓
D:硒光电池
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
