第五章测试
1.PN结正向偏置时,其内电场被( )。
A:不变
B:不确定
C:削弱
D:增强

答案:C
2.半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为( )。
A:P型半导体
B:杂质半导体
C:N型半导体
D:本征半导体
3.P型半导体是在本征半导体中掺入微量的( )元素构成的。
A:三价
B:四价
C:五价
D:六价
4.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的( )元素构成的。
A:三价
B:五价
C:四价
D:六价
5.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( )。
A:发射结反偏、集电结反偏
B:发射结正偏、集电结正偏
C:发射结反偏、集电结正偏
D:发射结正偏、集电结反偏
6.下列关于二极管描述正确的是( )。
A:特定的二极管可以工作在反向击穿区
B:一定含两种不同的杂质半导体
C:正向导通,反向截止
D:二极管导通时等同于普通的开关闭合。
7.半导体具有( )三个特性。
A:稳定特性
B:热敏特性
C:掺杂特性
D:光敏特性
8.下列属于掺杂半导体的是( )。
A:P型半导体
B:纯净半导体
C:N型半导体
D:本征半导体
9.P型半导体带正电,N型半导体带负电。( )
A:错 B:对 10.PN结在无外加电压时,结电流为零。( )
A:对 B:错 1.

对于三相电动势,有( )。


A:UA+UB+UC=0 B: C: D:UA=UB+UC 2. 三相电源星形接法的线电压UL与相电压UP的关系是( )
A: B: C: D:线电压是相电压的倍,且超前对应相电压 3.三个额定电压为380 V的单相负载,当用线电压为380 V的三相电源供电时应接成( ) 形。
A:无法确定 B:均可 C: D: 4.一般三相四线制中,开关接在( )上。
A:火线    B:地线 C:中线  D:零线 5.已知对称三相电源线电压,三角形联接对称负载Z=(6+j8),则线电流为( )A。
A:22 B:38 C:38 D:22 1.在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为6V,1.2V,1V,则该管为( )
A:PNP硅管 B:PNP型锗管 C:NPN型硅管 D:NPN型锗管 2.对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0,则此管工作在( )
A:饱和区 B:截止区 C:无法确定 D:放大区 3.对某电路中一个NPN型硅管测试,测得Ube>0,Ubc<0,Uce>0,则此管工作在( )。
A:无法确定 B:饱和区 C:截止区 D:放大区 4.对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测得Ube<0,Ubc<0,Uce>0,则此管工作在( )
A:饱和区 B:截止区 C:放大区 D:法确定 5.晶体管的控制方式为( )
A:输入电流控制输出电压 B:输入电压控制输出电流 C:输入电压控制输出电压 D:输入电流控制输出电流 1.P型半导体中少数载流子是( )。
A:正离子
B:负离子
C:空穴
D:自由电子
2.当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面说法正确的是( )。
A:空穴个数增加,自由电子个数基本不变
B:空穴和自由电子的个数均保持不变
C:自由电子个数增加,空穴个数基本不变
D:空穴和自由电子的个数都增加,且数量相等
3.

在图1所示电路中,二极管VD1、VD2、VD3的工作状态为( )。 


A:VD1,VD2截止,VD3导通    
B:VD1导通,VD2,VD3截止  
C:VD1,VD2,VD3均导通
D:VD1,VD3截止, VD2导通
4.

图示电路中,设二极管为理想二极管,则输出电压uo为( )。


A:-12V
B:6V
C:12V
D:-6V
5.

电路如图所示,二极管VD1,VD2 均为理想元件,则电压 UO =( )。


A:0V
B:10V
C:-10V
D:15V
6.

电路如图所示,二极管VD为理想元件,输入信号ui为如图所示的三角波,则输出电压uO的最大值为( )。


A:2V
B:3V
C:5V
D:7V
7.PNP型和NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极( )。
A:不确定
B:可以调换使用
C:PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用
D:不可以调换使用
8.工作在放大状态的晶体管,各极的电位应满足( )。
A:发射结正偏,集电结反偏
B:发射结、集电结均正偏正确的
C:发射结反偏,集电结正偏
D:发射结、集电结均反偏
9.

在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别是9V、3.4V和4V,则这个管子的三个极分别是( )。


A:C,E,B
B:C,B,E
C:其余选项都不正确
D:E,C,B
10.稳压管反向击穿后,其结果为( )。
A:只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损
B:由于击穿而导致短路
C:永久性损坏
D:由于击穿而导致性能下降

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