第一章测试
1.本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是( )
A:自由电子数目增加,空穴数目不变。 B:自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 C:空穴数目增加,自由电子数目不变。 D:自由电子和空穴数目不变。
答案:B
2.P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了( )
A:空穴 B:五价元素 C:正离子 D:三价元素
答案:D
3.二极管在反向截止区的反向电流( )。
A:随反向电压升高而减小 B:随反向电压升高而升高 C:基本保持不变 D:随反向电压升高而急剧升高
答案:C
4.二极管2AP9表示N型材料的( )
A:开关管 B:稳压管 C:整流管 D:普通管
答案:D
5.硅二极管的正向导通电压是( )
A:0.3V B:0.7V C:0.5V D:0.1V
答案:B
6.稳压二极管起稳压作用时,一般工作在特性曲线的 ( ) 区。
A:反向截止 B:死区 C:反向击穿 D:正向导通
答案:C
7.交通信号灯采用的是 ( ) 二极管。
A:发光 B:变容 C:光电 D:稳压
答案:A
8.二极管是具有单向导电的特性。( )
A:对 B:错
答案:A
9.PN结正偏是指N区结电源正极,P区结电源负极。( )
A:错 B:对
答案:A
10.二极管反向饱和电流越小,说明二极管的截止性能越好。( )
A:错 B:对
答案:B

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