- 屈服应力，通常以产生（ ）残留应变的应力为屈服应力。
- 晶体中，原子围绕其平衡位置做简谐振动，当温度升高时振幅增大，动能降低。
- 断裂并是两部分晶体同时沿整个界面拉开。
- 随着晶体结构的共价性增加，扩散和位错迁移率就下降。
- 在经典的离子导体中，离子的迁移不一定是由于点缺陷的存在产生的。
- 解理断裂，是指在拉应力作用下，沿一定晶面劈开的断裂形式，解理断裂的晶面称为解理面。
- 不同类型的载流子在不同的晶体结构中扩散时所需克服的抛垒是不同的。
- 小量的无机材料的弹性模量和强度都随气孔率的增加而增加。
- 在磁性材料内部由于各向异性的存在，所以存在易磁化方向。
- 滑移面并不是原子最密排面
- 光照射物质后,物质磁性（如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等）发生变化的现象。
- 质点的位能性质是由质点间的结合力特性所决定的。
- 电子松弛极化，可作短距离迁移。
- 晶体的热缺陷主要有两类：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。
- 对于耐火材料，一般来说晶粒尺寸愈小，蠕变率愈大。
- 无论变形量大小和应力与应变是否呈线性关系，凡弹性形变都是可逆形变。
- 韧性断裂是材料断裂时经过宏观塑性变形阶段、可观察到明显的缩颈现象。
- 实际材料中总是存在许多细小的裂纹或缺陷，在外力作用下，这些裂纹和缺陷附近不会产生应力集中现象。
- 电子位移极化感生偶极矩与电场强度成正比，并与它的方向一致。
- 材料的断面吸收率越小，其塑性越好。
- 任何温度下的物体既能辐射出一定频率的射线，同样也能吸收类似的射线。
- 磁性材料在外磁场作用下发生磁化状态改变时，伴随产生的可逆温度变化现象，称为磁致温差效应。
- 利用强磁材料的绝热退磁效应，可获得室温和低温区的磁致冷却。
- 声子的平均自由程越大，热导率越小。
- 温度升高，声子的振动能量加大，频率加快，碰撞增多，降低材料的热导率。
- 离子晶体的电导主要是离子电导。
- 固体电介质的介电性能是指在一定的电场强度范围内的材料特性，当电场强度超过某一临界值时，介质便由介电状态变为导电状态，从而丧失介电性能。
- 固体中的导热很少是由晶格振动的格波和自由电子的运动来实现的。
- 电子电导的载流子是电子或空穴。
- 克尔磁光效应的最重要应用就是观察铁磁材料中难以捉摸的磁畴。
- 线偏振光透过磁场中的透明物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象，叫做克尔磁光效应或克尔磁光旋转。
- 当物体受到拉应力作用是，斥力减小比引力快。
- 单晶材料的弹性模量在不同的结晶学方向上呈各向异性，沿原子排列最紧密的晶向上弹性模量较大。
- 通常结构紧密的晶体膨胀系数都较大。
- 杂质对半导体的导电性能影响极大。
- 在经典的离子导体中，离子的迁移是由于点缺陷的存在。
- 为使宏观形变得以发生，就需要使位错开始运动。
- 活化能大小决定于晶体间各粒子结合力。
- 对于同一种物质，多晶体的热导率总是比单晶大。
- 晶体中的各种缺陷、杂质以及晶粒界面都会引起声子平均自由程的减小。
- 单晶没有晶界，抗蠕变的性能比多晶材料好。
- 固体电介质的介电性能是在一定的电场强度范围内的材料特性。
- 在绝对零度下，无外界能量时，半导体价带中的电子不可能跃迁到导带中去。
- 脆性断裂的本质是微裂纹扩展。
- 位错宽度越大，位错容易运动。
- 金属对光能吸收很强烈，是因为金属的价电子处于未满带，吸收光子后即成激发态，不用跃迁到导带既能发生碰撞而发热。
- 离子位移极化率随温度升高而增大。
- 晶体结构越简单，化学键越强，材料热导率越低。
- 裂纹扩展的条件是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于开裂形成两个新表面所需的表面能。
- 禁带宽度大的材料，紫外吸收端的波长越（ ）。
- 磁性材料的磁声效应是由于内部磁振子和光子发生相互作用，在两者之间产生能量交换或互相激发的现象。
- 一般说来，质点的原子量愈小，密度愈小，杨氏模量愈大，德拜温度愈高，则热导率愈大。
- 大多数无机材料的弹性模量和强度都随气孔率的增加而降低。
- 小离子得到低折射率的材料。
- 电子松弛极化与热运动无关。
- 晶体中存在的各种缺陷和杂质会导致热导率变小。
- 具有弗伦克尔缺陷的晶体比具有肖特基缺陷的晶体具有更高的离子电导率。
- 本征半导体是指空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴的浓度是相等的。
- 晶体结构愈复杂，晶格振动的非简谐性程度愈大，热导率就较低。
- 线偏振光入射到磁化介质表面反射出去时，偏振面发生旋转的现象，称为法拉第效应。
- 热膨胀是固体材料受热以后晶格振动加剧而引起的容积膨胀。
- 当光的传播方向与外磁场方向垂直时，媒质对偏振方向不同的两种光的吸收系数也可不同。
- 脆性断裂是材料在实际应力远低于理论强度时发生的断裂。
- 一般条件下，金属材料的塑性要比陶瓷材料的好。
- 磁性材料的磁电效应是指材料的磁化强度和电极化强度之间存在耦合作用,外加电场可以改变介质的磁学性质,或者外加磁场能够改变介质的电极化性质。
- p型半导体的载流子主要为能导电的空穴。
- 弹性模量E是一个重要的材料常数，其值越大，则在相同应力下产生的弹性形变就越大。
- 材料的断裂不是晶体两个原子面间的整体分离，而是裂纹扩展的结果。
- 压电性，就是某些晶体材料按所施加的机械应力成比例地产生电荷的现象。
- 永磁材料是指外加磁场磁化后，除去外磁场仍能保持较强磁性的材料，能提供一个恒定的磁场。
- 低温时有较高热导率的材料，随着温度升高，热导率降高。
- 所有材料，在弹性变形范围内，应力和应变具有单值线性关系，且弹性变形量都较小。
- 晶体中的电子是分布在各个能带上而不是连续分布。
- 离子电导的微观机构为载流子，电子的扩散。
- 在电场作用下，正负电荷间的相对偏离，在原子、分子或离子中产生了感应偶极矩。
- 离子位移极化率与正负离子半径和的立方成反比。
- 当物体受到压应力作用是，斥力增加比引力快。
- 由于各向异性的存在，在磁性材料内部存在易磁化方向与难磁化方向。
- 材料能够导电，必须存在能够自由移动的电子。
- 晶体中已滑移的部分和未滑移部分的分界线是以位错作为表征的，这种分界并不是有一个鲜明的界线，实际上是一过渡区域。
- 铁磁性材料的自发磁化是由于电子间相互作用产生的。
- 晶界滑动蠕变，是在高温条件下由于大量原子和空位作定向移动造成的。
- 扩散蠕变是在较高温度下，由于晶界上的原子易于扩散，受力后易产生滑动。
- 晶体中存在的各种缺陷和杂质会导致声子的散射，使热导率变大。
- 晶体结构越简单，化学键越强，声子的平均自由程越大，热导率越高。
- 质点间结合力很强，热膨胀系数较小。
- 温度变化时发生晶型转变的材料会因体积变化而引起裂纹。
- 铁氧体亚铁磁性的来源是金属离子间通过氧离子而发生的超交换作用。
- 塑性形变的特征与位错保持一定运动速率所需力无关。
- 介质的折射率随介质的介电常数ε的增大而增大
- 金红石陶瓷能够制成透明陶瓷。
- 禁带宽度大的材料，紫外吸收端的波长越短。
- 普通光源可以很容易实现材料的非线性发光。
- 材料的散射系数与组成材料质点的粒径无关。
- 一般来说，陶瓷材料的离子松弛极化损耗较大。
- 对同种材料来说，厚层介质具有较高的击穿场强。
- 电子的位移极化率与原子半径的平方成正比。
- 电子的松弛极化是可逆的。
- 在材料的极化中，束缚电荷不能做定向移动。
- 太阳能电池材料的禁带不能太宽。
- 导体中所有的电子都参与导电。
- 光电材料是通过光电效应将光能转换成电能。
- 电阻率决定于材料的几何尺寸。
- 当材料处于超导状态时，只要外加磁场不超过一定值，磁力线不能透入超导材料内。
- 自然界中存在磁单极子。
- 抗磁性材料M与H为非线性关系，磁化率χ为很小的负数。
- 顺磁体磁化是磁场克服热运动的干扰，使磁矩排向磁场的结果。
- 顺磁体的原子或离子含有未填满的电子壳层(，或具有奇数个电子的原子，具有永久磁矩。
- 物质的抗磁性是电子的轨道磁矩产生的。
- 晶格中不可能存在半波长比晶格常数a小的格波。
- 通常结构紧密的晶体，膨胀系数都较小。
- 固体中的导热主要是由晶格振动的格波和自由电子的运动来实现的。
- 声频支可以看成是相邻原子具有不同的振动方向。
- 材料各种热学性能的物理本质，均与其晶格热振动有关。
- 材料的理论结合强度是材料的非本征性能。
- 材料的平面应变断裂韧性大约材料的应力场强度因子时，材料是安全的。
- 材料的断裂强度取决于裂纹的数量。
- 理论强度只与弹性模量、表面能和晶格参数等材料常数有关，是常数的组合，属于材料的本征性能。
- 高强度的固体具有弹性模量E大、断裂能大、晶格常数a大的特征。
- 塑性形变当外力去除后，材料恢复原状。
- 弹性模量与原子间结合力有关。
- 脆性材料的应力－应变的行为特点是应变与应力呈非线性关系.
- 法向应力和剪应力的下标第一个字母代表应力作用面的法线应力，第二个字母表示应力作用的方向。
- 应变仅与应力有关。
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