第三章单元测试
符号VMg所代表的含义是（ ）
符号VMg”所代表的含义是（ ）
符号Cai‥所代表的含义是（ ）
符号MgK·所代表的含义是（ ）。
符号MgZr”所代表的含义是（ ）
热缺陷浓度随温度升高的变化规律是（ ）。
按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分类可以分为（ ）两类
根据形成间隙型固溶体的条件比较下列几类晶体中形成间隙型固溶体的次序是（ ）
钠长石Na(AlSi3O8)与钙长石Ca(AlSi2O8)可以形成（ ）.
NiO与MgO同属NaCl型结构，其离子半径rNi2+ =0.077nm ,rMg2+=0.072nm，NiO与MgO之间能形成（ ）。
CaO与MgO同属NaCl型结构，其离子半径rMg2+=0.072nm，rCa2+=0.108nm，CaO与MgO之间可形成（ ）。
- La2O3溶于CeO2中形成置换型固溶体，其固溶体分子式为Ce1-2xLa2xO2-x
- YF3溶于CaF2中形成间隙型固溶体,其固溶体分子式为Ca1-XYXF2+X.
ZnO在Zn蒸汽中可形成（ ）型半导体
ZnO在Zn蒸汽中可形成（ ）型非计量化合物。
如果减少周围氧气的分压，Zn1+xO的密度将（ ）。
如果减少周围氧气的分压，Zn1+xO的电导率将（ ）。
若有一个变价氧化物XO，在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为：X：O＝1.1:1，则其化学式应为（ ）
位错线与滑移方向垂直的位错称为刃型位错，其表示符号为（ ）
- 在 MgO中引入少量高价氧化物Al2O3形成间隙型固溶体是合理的。
A:镁离子空位 B:带电荷 C:不带电荷 D:镁原子空位
答案:不带电荷###镁原子空位
A:带二个负电荷 B:镁离子空位 C:带二个正电荷 D:镁原子空位
A:带二个正电荷 B:带二个负电荷 C:钙离子空位 D:间隙钙离子
A:
K+置换Mg2+形成错位离子
B:带一个正电荷 C:带一个负电荷 D:Mg2+置换K+形成错位离子
A:
Zr4+置换Mg2+形成错位离子
B:带二个负电荷 C:Mg2+置换Zr4+形成错位离子
D:带二个正电荷A:呈指数减少 B:不变 C:呈指数增加
A:间隙型固溶体 B:置换型固溶体 C:连续固溶体 D:有限固溶体
A:
片沸石>CaF2>TiO2>MgO
B:片沸石>TiO2>CaF2>MgO
C:片沸石>CaF2>MgO>TiO2
D:CaF2>片沸石>TiO2>MgO
A:连续置换固溶体 B:不能形成固溶体 C:有限置换固溶体
A:连续置换固溶体 B:不能形成固溶体 C:有限置换固溶体
A:连续置换固溶体 B:有限置换固溶体 C:不能形成固溶体
A:对 B:错
A:错 B:对
A:
n型
B:p型
A:阳离子填隙 B:阴离子空位 C:
阳离子空位
D:阴离子填隙A:不变 B:增大 C:变小
A:变小 B:不变 C:增大
A:
X1.1O
B:XO0.90
C:XO0.91
D:XO1.1
A:⊥ B:
Xi＇
C:Vx·A:对 B:错
