第三章测试1.对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ ）。
A:间隙负离子
B:负离子空位
C:间隙正离子
D:正离子空位
答案:BC
2.固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但发生点阵畸变，性能变化。所形成的固溶体包括有限固溶体和无限固溶体两种类型，其中（ ）。
A:结构相同是无限固溶的充要条件
B:结构相同不是形成固溶体的条件
C:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
D:结构相同是有限固溶的必要条件
3.按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。
A:非化学计量缺陷
B:热缺陷
C:电荷缺陷
D:杂质缺陷
4.位错的滑移是指位错在何种力的作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变（ ）。
A:外力
B:热应力
C:化学力
D:结构应力
5.热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ ）。
A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
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