第三章 晶体形核与生长:介绍液态金属形核及晶体生长。3.1形核热力学及动力学条件:介绍形核热力学及动力学条件。
3.2均质形核:介绍均质形核的临界半径及临界形核功的基本概念及其理论推导。介绍形核率的概念。
3.3异质形核:介绍异质形核临界半径及临界形核功的概念及其理论推导。介绍异质形核率及异质形核的影响因素。
3.4晶体生长:介绍固液界面结构分类、判据及影响因素。分析晶体的生长条件及生长形态,阐述晶体的生长方式及生长速度。
[判断题]过冷度越大,凝固相变驱动力越小。

选项:[对, 错]
[判断题]异质形核的临界形核功大于均质形核的临界形核功。

选项:[错, 对]
[判断题]异质形核的临界半径大于均质形核的临界半径。

选项:[错, 对]
[判断题]凹面最不利于异质形核,凸面有利于形核。

选项:[对, 错]
[判断题]异质形核率一直体现增大趋势。

选项:[错, 对]
[判断题]原子堆砌方式取决于晶体结构。

选项:[对, 错]
[判断题]粗糙界面Jackson 因子α≤2。

选项:[对, 错]
[判断题]液相原子需具备一定的自由能才能结晶。

选项:[错, 对]
[判断题]过冷度增大,形核率上升。

选项:[错, 对]
[判断题]临界形核功是表面自由能与体积自由能差值的最小值。

选项:[错, 对]
[判断题]均质形核临界半径是过冷熔体中,晶胚发展为晶核所需尺寸。

选项:[错, 对]
[判断题]均质形核是游离原子集团逐渐长大,形成晶核的过程。

选项:[对, 错]
[判断题]固液界面结构决定了生长方式的差异。

选项:[对, 错]
[判断题]过冷度越大,界面生长速度快,易形成内容已经隐藏,点击付费后查看

[判断题]侧向生长是粗糙界面生长方式。

选项:[错, 对]

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