湖南理工学院
- N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道越窄，沟道中电流越小 （ ）
- PN结的隧道击穿是不可逆的击穿。（ ）
- BVEBO为集电极开路，发射极和基极之间所能承受的最大反向电压（ ）
- 对于增强型MOSFET而言，开启电压大于零。（ ）
- N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越多 ，沟道电阻就越小 ，漏极电流就越大。 （ ）
- 金属-半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管工作原理相同，只是用金-半接触取代了PN结做栅控制电极，主要差别是栅结的势垒高度较PN结的势垒高度低。（ ）
- 对PMOSFET，沟道中的载流子是电子（ ）
- 结型场效应晶体管是一种电压控制型器件（ ）
- 对于E型N沟道MOS管，VGS只能为负，并且只能当VGS小于开区电压时，才能形有漏极电流。（ ）
- 长沟道JFET的理想饱和漏极电流与沟道长度L成反比，与器件宽度W成正比（ ）
- 对于结型场效应晶体管，沟道一旦发生预夹断，管子就进入截止状态（ ）
- 特征频率是指放大系数下降到1的信号频率（ ）
- BVCEO为基极开路，集电极和发射极之间所能承受的最大反向电压（ ）
- MOSFET工作在小于阈值电压时，没有电流流过晶体管（ ）
- PN结的雪崩击穿是不可逆的击穿。（ ）
- 基极电阻越小越好，如果大了会影响发射极的发射效率。（ ）
- 小注入条件是指注入某边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度（ ）
- MOS结构施加偏置电压时，存在多子积累、多子耗尽和少子反型几种状态（ ）
- 对于MOSFET，在衬底和源极之间加有负偏压，衬底也能起到栅极的作用，以达到控制漏电流的目的（ ）
- 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内多子浓度时，称表面发生了强反型。（ ）
- 对于MOSFET，阈值电压随沟道长度的减小而增加（ ）
- 对于共源极MOSFET，截止频率就是电流放大系数等于1时对应的频率（ ）
- 对于耗尽层MOSFET而言，夹断电压小于零（ ）
- 所谓N沟道MOS管指的是它的基底是N型半导体。（ ）
- PN结正偏时的电容值主要取决于势垒电容（ ）
- 下列哪种方法不能提高PNJFET的特征频率（ ）
- 当栅源电压为0 V时，（ ）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压下，可以有更大的漏极电流。
- NPN型BJT的电学符号为（ ）。
- 增强型NMOSFET的转移特性曲线为（ ）。
- 双极晶体管在截止状态下，下列说法正确的是（ ）
- MOSFET是利用（ ）控制沟道电流的器件。
- N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。（ ）
- P沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。（ ）
- 减小势垒电容的方法是（ ）。
- 发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为（ ）
- 给PN结施加反向偏压时，其势垒高度和宽度分别如何变化（ ）。
- 耗尽型NMOSFET的转移特性曲线为（ ）。
- 对耗尽型MOS管，VGS可以为（ ）。
- 双极晶体管的三个电极分别是（ ）。
- MOS管分为P沟道和N沟道，P沟道MOS管相当于NPN型晶体管，N沟道相当于PNP型晶体管，则下列叙述正确的是（ ） 。
- Si基PNJFET的截止频率可以通过（ ）来提高。
- 双极晶体管在正常的放大工作状态下，下列说法正确的是（ ）
- BJT发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高注入效率，反而会使其下降，造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）。
- IEBO代表( ) 时，流过发射极基极间的反向电流。（ ）
- 关于BJT下列说法正确的是（ ）。
- 以下属少子型器件的是（ ）
- 双极晶体管在饱和状态下，下列说法正确的是（ ）。
- 测得三极管IB1=30 μA时，IC1= 2.4 mA ；IB2=40 μA时，IC2= 3 mA，则该管的交流电流放大系数为（ ）
- E型PMOSFET的电学符号为为（ ）。
- 强反型指的是，半导体( )。（ ）
A:对 B:错
答案:B:错
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:A: 对
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:增大沟道长度 B:减小栅电容 C:减少串联电阻Rs D:增大跨导
A:P沟道耗尽型 B:N沟道增强型 C:P沟道增强型 D:N沟道耗尽型
A:
A:
A:发射结反偏，集电结正偏 B:发射结正偏，集电结正偏 C:发射结反偏，集电结反偏 D:发射结正偏，集电结反偏
A:漏源电流 B:栅源电压 C:栅源电流 D:漏源电压
A:N，P，电子 B:P，N，电子 C:N，N，电子 D:P，N，空穴
A:P，N，空穴 B:N，P，空穴 C:N，N，电子 D:P，N，电子
A:减小结面积，增大空间电荷区的宽度 B:增大结面积，减小空间电荷区的宽度 C:增大结面积和空间电荷区的宽度 D:减小结面积和空间电荷区的宽度
A:共发射极直流短路电流放大系数 B:共集电极直流短路电流放大系数 C:共基极直流短路电流放大系数 D:三项说法均不正确
A:变宽，变低 B:变窄，变低 C:变宽，变高 D:变窄，变高
A:
A:都可以 B:负 C:0 D:正
A:基极、漏极、栅极 B:发射极、栅极、集电极 C:发射极、基极、集电极 D:基极、栅极、集电极
A:晶体管和MOS管都是电流控制型元件 B:晶体管是电流控制型，MOS管是电压控制型 C:晶体管是电压控制型，MOS管是电流控制型 D:晶体管和MOS管都是电压控制型元件
A:增大器件宽度 B:增大器件宽度 C:减小沟道长度 D:增大沟道长度
A:发射结反偏，集电结反偏 B:发射结反偏，集电结正偏 C:发射结正偏，集电结正偏 D:发射结正偏，集电结反偏
A:发射区禁带宽度变窄，俄歇复合增强 B:发射区禁带宽度变窄，俄歇复合减弱 C:发射区禁带宽度变宽，俄歇复合增强 D:发射区禁带宽度变宽，俄歇复合减弱
A:集电极开路、发射结反偏 B:发射极正偏、集电结开路 C:发射极短路、集电结反偏 D:发射极正偏、集电结反偏
A:三项说法均不正确 B:Wb>>Lnb是实现电流的不衰减传输的前提条件 C:三个电极间的电流关系为IB = IE + IC D:放大工作状态下集电结正偏，发射结反偏
A:肖特基二极管 B:双极型晶体管 C:JFET D:MOSFET
A:发射结反偏，集电结正偏 B:发射结正偏，集电结正偏 C:发射结正偏，集电结反偏 D:发射结反偏，集电结反偏
A:100 B:60 C:80 D:75
A:
A:表面多子浓度等于或大于体内少子浓度 B:表面多子浓度小于体内少子浓度 C:表面少子浓度小于体内多子浓度 D:表面少子浓度等于或大于体内多子浓度
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