- PN结反偏时的电容值主要取决于扩散电容（ ）
- 防止双极晶体管基区穿通的措施是增大基区宽度和基区掺杂浓度（ ）
- MOSFET在线性区的电压放大系数具有最大值（ ）
- 对于共源极MOSFET，截止频率就是电流放大系数等于1时对应的频率（ ）
- 基极电阻越小越好，如果大了会影响发射极的发射效率。（ ）
- 对NMOSFET，沟道中的载流子是电子（ ）
- 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内多子浓度时，称表面发生了强反型。（ ）
- 特征频率是指放大系数下降到1的信号频率（ ）
- ICBO是指发射极开路、集电结反偏时的集电极电流。（ ）
- 大注入条件是指注入某边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度（ ）
- 共基极电路是发射极为输入端，集电极为输出端，基极为公共端（ ）
- 共发射极晶体管的截止频率就是放大系数等于1时的频率（ ）
- N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越多 ，沟道电阻就越小 ，漏极电流就越大。 （ ）
- 小注入条件是指注入某边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡多子浓度（ ）
- IEBO是指集电极开路、发射极与基极间反偏时流过发射极基极间的反向电流（ ）
- 双极晶体管的放大实质是由于基极电流的变化使集电极电流发生更大的变化（ ）
- BVEBO为集电极开路，发射极和基极之间所能承受的最大反向电压（ ）
- 所谓N沟道MOS管指的是它的基底是N型半导体。（ ）
- PN结的隧道击穿是不可逆的击穿。（ ）
- NPN型BJT中，基区宽变效应越强，Early电压的绝对值越大（ ）
- 对于理想MOSFET，饱和区的漏源电导为无穷大（ ）
- 对于耗尽层MOSFET而言，夹断电压小于零（ ）
- PN结正偏时的电容值主要取决于势垒电容（ ）
- 当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型（ ）
- 对于增强型MOSFET而言，开启电压大于零。（ ）
- 在N型半导体中（ ）
- NPN型BJT的电学符号为（ ）。
- 给PN结施加反向偏压时，其势垒高度和宽度分别如何变化（ ）。
- 对于单边突变结P+N，扩散电容取决于（ ）。
- 关于耗尽型P沟道PNJFET的栅源夹断电压，以下说法正确的是（ ）
- 关于PN结下列说法正确的是（ ）。
- MOSFET的（ ）是输出特性曲线的斜率，（ ）是转移特性曲线的斜率。
- 关于BJT下列说法正确的是（ ）。
- 当栅源电压为0 V时，（ ）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压下，可以有更大的漏极电流。
- 减小扩散电容的方法是（ ）。
- BJT中的发射极电流集边效应是由（ ）导致。
- N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中的载流子是（ ）。（ ）
- 双极晶体管在截止状态下，下列说法正确的是（ ）
- D型PMOSFET的电学符号为为（ ）。
- BJT发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高注入效率，反而会使其下降，造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）。
- 双极晶体管的三个电极分别是（ ）。
- ICBO代表( ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。（ ）
- 以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响（ ）。
- BVCEO为( )最大反向电压。（ ）
- 双极晶体管在正常的放大工作状态下，下列说法正确的是（ ）
- 晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）
- 下列哪种工艺无法制作PN结（ ）
- 关于提高均匀基区双极晶体管的电流放大系数的方法以下说法正确的是（ ）
- 当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（ ）。
- 下列哪种方法不能提高PNJFET的特征频率（ ）
- 鳍式场效应晶体管利用立体栅结构有效缓解了平面器件中的短沟道效应，成功抑制了沟道漏电流（ ）
- 摩尔定律是指，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目约每18个月会增加一倍，性能也将提升一倍（ ）
- 随着晶体管尺寸的不断减小，沟道中的漏电流问题越发严重（ ）
- 全环绕栅极场效应晶体管中栅极与沟道的接触面有3个（ ）
- 通常通过制程节点来表征晶体管的平均尺寸（ ）
- 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高注入效率，反而会使其下降，造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）
- 理想MOSFET管工作在饱和区时，随着漏源电压的增加，漏极电流将（ ）。
- MOS结构中，半导体表面的电荷分布包括以下几种状态（ ）
- MOSFET是用（ ）控制漏极电流的器件 。
- MOS管的几何跨导参数与哪些参数有关（ ）。
- 跨导gm反映了MOS场效应管的（ ）对漏极电流控制能力。
- 影响MOS管直流特性的因素包括（ ）。
- 为减小衬偏电压VBS对MOSFET阀值电压的影响，应该尽量（ ）。
- 金属-半导体场效应晶体管属于单极型器件，是利用少数载流子导电的器件。（ ）
- 结型场效应晶体管属于单极型器件，是利用少数载流子导电的器件。（ ）
- 结型场效应晶体管发生夹断后管子进入恒流区。（ ）
- 结型场效应晶体管实际上是一个电压控制的电阻。（ ）
- 对于E型金属-半导体场效应晶体管，没有外加偏压时处于截止状态。（ ）
- 某NPN型双极晶体管处于共射极连接方式，VB = 2.7 V，VC = 10 V，VE =2.0 V，此晶体管处于（ ）状态。
- 晶体管的共基极电流放大系数随频率的增加而下降。（ ）
- 当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会增加，使得有效基区宽度减小。（ ）
- 晶体管工作在高频小信号条件下，要考虑电容的作用，它们包括（ ）
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个内建电场，它对少子在基区中的运动起到阻碍作用，使少子的基区渡越时间增加。（ ）
- 为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）
- 双极晶体管工作于放大区时，其外部条件是（ ）
- 防止基区穿通的措施有（ ）
- 外加电压越高，势垒电容越大。（ ）
- 在PN结的空间电荷区中，P区一侧带正电荷，N区一侧带负电荷。 （ ）
- 给PN结施加正向偏压时，其势垒宽度会（ ）。
- 在PN结的空间电荷区中，内建电场的方向是（ ）。
- PN结的掺杂浓度越高，接触电势差就越大。（ ）
- 在二极管两端施加正向电压，二极管导通，施加反向电压，二极管截止。（ ）
- 1947年，威廉·肖克利、约翰·巴顿和沃特·布拉顿在单晶锗上研制出了第一支点接触式晶体管（ ）
- 双极晶体管是三端器件，有放大和开关作用。（ ）
- MOS管是三端器件，有放大和开关作用。（ ）
- 1958年，美国工程师基尔比设计了世界第一块集成电路（ ）
答案:错
答案:对
答案:错
答案:对
答案:对
答案:对
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答案:对
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