微电子器件基础章节测试课后答案2024春
第一章测试1.1947年，威廉·肖克利、约翰·巴顿和沃特·布拉顿在单晶锗上研制出了第一支点接触式晶体管（ ）A:对B:错答案:A2.1958年，美国工程师基尔比设计了世界第一块集成电路（ ）A:对B:错答案:A
微电子器件基础
微电子器件基础期末答案和章节题库2024春
PN结反偏时的电容值主要取决于扩散电容（ ）答案:错防止双极晶体管基区穿通的措施是增大基区宽度和基区掺杂浓度（ ）答案:对MOSFET在线性区的电压放大系数具有最大值（ ）
微电子器件基础期末考试答案题库2024秋
湖南理工学院N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道越窄，沟道中电流越小 （ ）A:对B:错答案:B:错PN结的隧道击穿是不可逆的击穿。（ ）A:错B:对答案:错