第二章测试
1.电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )
A:错 B:对
答案:B
2.对硅进行掺杂,当掺氮时可以形成P型半导体;当掺磷时可以形成N型半导体。( )
A:对 B:错 3.光伏效应和光电发射效应同属于内光电效应。( )
A:对 B:错 4.对于硅太阳能电池,光伏效应发生在下列哪个部分?( )
A:PN结
B:减反射层
C:背面电极
D:正面电极
5.禁带宽度会影响太阳能电池的光电性能,一般情况下禁带宽度越大,开路电压越大。( )
A:错 B:对 6.温度对开路电压的影响比对短路电流的影响大,温度越高开路电压越大。( )
A:错 B:对 7.短路电流会随着禁带宽度的增大而减小。( )
A:对 B:错 8.下列哪些方法能够改善太阳能电池的性能?( )
A:加背表面电场
B:将正面电极做成栅形结构
C:将吸光面做成绒面结构
D:增加减反射膜
9.下列哪些方法能够减小太阳能电池的暗电流?( )
A:优化生产工艺
B:减少人为污染
C:改善原料质量
D:避免机械损伤
10.下列哪种载流子复合方式需要两步完成?( )
A:俄歇复合
B:表面复合
C:间接复合
D:直接复合

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