- 为解决当前高端芯片制造“卡脖子”问题，需大力发展高精度光刻技术。以下______方法不能用来直接提高半导体光刻工艺的精度？ （ ）
- 光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。
- 光纤材质通常分为两层以上，不同层材料的折射率不同。
- 芯片电极与封装外壳上的电极通过金属线连接。
- 硅原子最外层有4个电子，可以与4个相邻的原子组成共价键。
- [100]晶向和[110]晶向是等效的。
- 硅基太阳能电池因其光电转换效率最高而占有最大的市场份额。
- 一片晶圆经过加工、测试合格后，就可以直接作为芯片使用。
- 扩散电流方向可以从载流子浓度低的区域指向浓度高的区域。
- pn结平衡状态下，器件内的扩散电流和漂移电流相互抵消。
- 在制作半导体器件电极时，通常希望金属与半导体之间形成欧姆接触。
- 在硅中掺杂硼元素，硼元素属于施主。
- pn结处于反偏状态下时，电流为0。
- 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
- 激光器工作的两个基本条件是：谐振腔和集居数反转。
- 太阳能电池本身就是一个pn结。
- 通常来说，某种材料中电子的移动速率高于空穴的移动速率。
- 在硅基底上镀铝只能用溅射法，不能使用热蒸镀法。
- 在CMOS工艺中，通常采用SiO2作为掺杂工艺的掩膜层材料。
- 离子注入法掺杂工艺通常会破坏晶体结构，所以在低温下进行以减小此类影响。
- 在化学气象沉积中，反应物可以是固体。
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度。
- 晶圆表面需要打磨，通常使用CMP方法抛光。
- 通常利用半导体制程中用到的掩膜版数量来指代半导体制程的步骤数量。
- 晶格常数通常用来描述晶体分子的最小尺寸。
- 在锗中掺杂砷元素，砷元素属于受主。
- 面心立方结构可由简单立方结构组合而成。
- 金刚石结构与闪锌矿结构主要差异在于晶格内元素种类与晶格边缘的元素种类差异。
- 半导体电导率与载流子迁移率成反比。
- 体心立方晶体在（110）晶面上有4个角原子，1个中心原子。
- 异质结两端半导体材料可以同为n型半导体。
- XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。
- 世界上第一台激光器是一台（ ）激光器。
- 有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是3Å，其带隙有可能是 eV。
- 半导体市场分工细化后，半导体器件制造主要在（ ）环节中进行。
- 南京tsmc生产线晶片尺寸为：
- 以下何种情况会形成肖特基接触？
- 激光器中谐振腔的长度通常需要满足（ ）的整数倍。
- 当一个PNP型BJT工作在电流放大模式下时，其_____的pn结上的电压方向是反向偏置的。
- 激光工作的基本原理是基于：
- 硅晶体是_______晶体结构。
- pn结的接触电势差与下列哪个参数无关？
- 室温下绝缘体中价带电子无法从价带跃迁至导带。
- 体心立方结构可由简单立方结构组合而成。
- 光刻技术中的反刻工艺也称之为剥离工艺。
- 作为放大器使用的BJT通常采用共基极接入电路。
- 本征半导体的电导率通常小于掺杂后的半导体电导率。
- 本征半导体中电子和空穴的载流子浓度不同。
- 半导体材料中，施主能级通常接近导带底。
- 硅是直接带隙半导体。
- 发光半导体材料的禁带宽度与发光颜色有关。
- 肖特基接触也称之为整流接触。
- PIN型光探测器通常灵敏度要高于APD光探测器。
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。
- 金刚石结构和闪锌矿结构最主要的差别在于晶格中原子排列顺序不同。
- 扩散法掺杂工艺通常是在高温下进行，温度变化速度对掺杂效果没有影响。
- 载流子迁移率与温度成正比。
- n型半导体中载流子只有电子没有空穴。
- 自然界中一种物质只能有一种晶体形态。
- 硅是直接能带隙材料。
- 半导体材料的载流子浓度与温度有关。
- 采用SOI技术最大的优势是可以减少反向漏电流。
- {1 1 1}晶面族不包含(1 -1 -1)晶面。
- 增强型场效应晶体管在栅极不加偏压时，沟道处于导通状态。
- 硅是间接带隙半导体材料。
- 太阳能电池可以吸收太阳光谱中所有高于半导体禁带宽度的能量。
- 导体其实就是禁带宽度比较小的半导体。
- 半导体的禁带宽度通常大于绝缘体的禁带宽度。
- 半导体材料中的价带电子通过一定能量的激发可以从价带跃迁到导带。
- 以下著名半导体厂商，______目前是晶圆代工模式的代表厂商。
- 生产单晶硅晶圆的原材料是：
- 以下器件中哪种不属于光电半导体器件范畴？
- 硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生
- 一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的________达到了14nm量级。
- 以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？
- 有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是5Å，其带隙有可能是___ __eV。
- 南京tsmc工艺技术节点为：
- GaAs晶体是_______结构。
- 太阳能电池工作在pn结电流电压特性曲线的第（ ）象限
- 以下哪个参数无法通过霍尔测量测得？
- 以下技术除了____以外都是半导体常用的形貌表征技术。
- 在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：
- 栅极电压VG、漏极电压VD、阈值电压VT三者处于以下何种关系时，FET的沟道处于截止状态？
- 如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体。―――――――― EC＿＿＿＿＿＿＿＿EF―――――――― EV
- 当pn结作为光电二极管使用时，经常加反向偏置作为电流源，这时它工作在I-V曲线的第__象限。
- 一般情况下，以下沉积方式中腔体气压最低的是：
- MOSFET的饱和漏极电流由（ ）电压决定。
- 为解决当前高端芯片制造“卡脖子”问题，需大力发展高精度光刻技术。光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。
- 超晶格结构通常以（ ）为基本结构单元。
- MBE只能用于III-V族化合物的生长。
- 半导体材料通过掺杂可以改变其电导率。
- CCD只能分辨光的有无，而无法分辨光的强弱。
- 半导体电导率通常低于绝缘体。
- 集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。
- 半导体材料的载流子浓度与态密度有关。
- 导体的价带和导带都是重叠的。
- 通常来说，半导体材料中载流子浓度越高，电导率越低。
- 摩尔定律认为：每12个月左右，集成电路的集成度将提升1倍，相应的价格下降一半。
- 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ）
- 半导体材料中，导带电子与价带空穴复合时释放出光能，其能量可以小于禁带宽度。
- MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。
- TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。
- 通常晶体的晶格常数越大，其带隙宽度也越大。
- 半导体材料没有非晶体形态。
- 面心立方晶体在（100）晶面上有4个角原子，1个中心原子。
- 晶体的重要特征是均匀性，所以晶体一般都是各向同性的。
- [100]晶向和[010]晶向是等效的。
- 温度越高，扩散速度越快。
- MOSFET开关的基本工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的通断。
- 共价键的键结能通常大于离子键的键结能。
- pn结处于反偏状态下时，载流子扩散电流不变，漂移电流变小。
- 单晶硅和多晶硅的电学性能相同。
- 半导体电导率通常低于导体。
- p型半导体中载流子既有电子也有空穴，只是浓度不同。
- pn结处于偏压状态下时，载流子的扩散电流和漂移电流不再平衡。
- 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。
- 光探测器在pn结电流电压特性曲线中的工作区间与太阳能电池相同。
- 通常来说，光探测器的灵敏度越高，响应时间也就越短。
- 在锗中掺入硼元素，可以改变空穴浓度，同时，电子浓度也发生变化。
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
- III-V族化合物可通过MBE沉积。
- 异质结两端半导体材料的禁带宽度可以相同。
- pn结平衡状态下，器件内空穴总电流和电子总电流均为0
- 光电探测器的灵敏度主要取决于其暗电流大小。
- 在化学气象沉积中，反应原料可以是固体。
- 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。
- 硅的费米能级被电子占据的几率在300K时是1/2。 硅工艺中进行掺杂的两种常用工艺是扩散和离子注入。
- AFM的探针针尖与样品表面直接接触，所以测量时会损伤样品。
- 以下哪种检测方式不涉及X射线？
- TEM可观测厚度1微米以上的样品。
- 通常TEM观测的分辨率要高于SEM。
- AFM可观测样品内部形貌特征。
- SEM观测的主要原理是搜集入射电子激发的二次电子进行逐点成像的。
- 以下常用来检测样品表面晶体结构的方法是（）？
- EDX通常是加装在SEM中配合使用的。
- 表面不导电的样品无法用SEM进行观测。
- 业界常用SIMS作为半导体掺杂浓度分布的检测方式。
- 以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？
- 通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
- 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
- 利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
- 化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体
- 化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。
- 以下哪种不属于化学气相沉积法
- 12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。
- 利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。
- 逻辑电路的基本元件是MOS管。
- 以下半导体产线上最昂贵的设备是（）？
- 摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。
- 半导体代工厂中主要进行集成电路设计。
- 半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学，与化学无关。
- 目前量产的半导体器件节点尺寸是（）？
- 在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。
- 目前半导体产业分工越来越细，主要是由于技术越来越复杂，产品需求量越来越大。
- 早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。
- Voc是指短路电压。
- LED的寿命通常比白炽灯长。
- 半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？
- 太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
- 以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？
- 对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
- 太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
- 半导体激光器中没有谐振腔结构。
- 以下哪种LED量产最晚？
- 光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
- 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
- 通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
- MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
- 平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
- 欧姆接触也称为整流接触。
- MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
- 通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
- pn结加反偏压时，总电流为0。
- BJT可用于恒定电流源的设计。
- n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
- 在半导体中的空穴流动就是电子流动。
- 以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
- 通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
- 以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
- 半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
- 通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
- 半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
- 从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
- p型硅掺杂V族元素，n型硅掺杂III族元素。
- 温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
- 现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？
答案:使用步进式光刻机
答案:光刻的材料难以腐蚀
答案:对
答案:对
答案:对
答案:错
答案:错
答案:错
答案:错
答案:对
答案:对
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