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半导体技术导论
- 室温下绝缘体中价带电子无法从价带跃迁至导带。
- 半导体材料的载流子浓度与态密度有关。
- 激光器工作的两个基本条件是：谐振腔和集居数反转。
目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ）
- pn结平衡状态下，器件内的扩散电流和漂移电流相互抵消。
- 硅基光探测器可探测能量为1ev以下的光波。
- 太阳能电池可以吸收太阳光谱中所有高于半导体禁带宽度的能量。
- 硅基太阳能电池因其光电转换效率最高而占有最大的市场份额。
- 锗是间接能带隙材料。
- 单晶硅和多晶硅的电学性能相同。
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度。
- 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
- n型半导体中载流子只有电子没有空穴。
- 本征半导体的电导率通常小于掺杂后的半导体电导率。
- 扩散法掺杂工艺通常是在高温下进行，温度变化速度对掺杂效果没有影响。
- 砷化镓是间接能带隙材料。
- EDX只能检测元素种类，无法标定元素含量。
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。
- 利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。
- 镀Pt金属通常要用溅射法，而不用热蒸镀法，因为Pt的沸点很高。
- 一片晶圆经过加工、测试合格后，就可以直接作为芯片使用。
，GaAs的带隙一定比AlxGa1-xAs小。- COMS工艺中电阻阻值大小通常通过掺杂浓度来控制。
半导体的禁带宽度通常大于绝缘体的禁带宽度。
- CVD沉积温度通常较高，这一特点限制了反应物的种类。
- 光刻技术中的反刻工艺也称之为剥离工艺。
- 在CMOS工艺中，通常采用SiO2作为掺杂工艺的掩膜层材料。
- 通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
- MOSFET的沟道处于导通状态时，栅极电压与漏极电流无关。
- 半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
- 半导体材料通过掺杂可以改变其电导率。
- 作为放大器使用的BJT通常采用共基极接入电路。
- 在硅中掺入磷元素，可以改变电子浓度，但无法改变空穴浓度。
- 半导体器件主要分为电子器件和光电器件两大类。
- 通常情况下，半导体材料掺杂后载流子浓度不会发生改变。
- 通常来说，光探测器的灵敏度越高，响应时间也就越短。
- 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）
- CMOS工艺中，p-MOS和n-MOS通常采用不同的步骤分别制造。
- {1 1 1}晶面族不包含(1 -1 -1)晶面。
- 非晶体通常具有各向异性。
- 在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：
如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体。
―――――――― EC
＿＿＿＿＿＿＿＿EF
―――――――― EV- 南京tsmc工艺技术节点为：
硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生
- 生产单晶硅晶圆的原材料是：
- 当一个PNP型BJT工作在电流放大模式下时，其_____的pn结上的电压方向是反向偏置的。
- 一般情况下，以下沉积方式中腔体气压最低的是：
- 2019年底，中芯国际集成电路制造有限公司（ ）芯片实现量产。
- 以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？
- 半导体市场分工细化后，半导体器件制造主要在（ ）环节中进行。
有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是3Å，其带隙有可能是 eV。
- 一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的________达到了14nm量级。
- 世界上第一台激光器是一台（ ）激光器。
栅极电压VG、漏极电压VD、阈值电压VT三者处于以下何种关系时，FET的沟道处于截止状态？
- 以下器件中哪种不属于光电半导体器件范畴？
- 激光器中谐振腔的长度通常需要满足（ ）的整数倍。
- pn结的接触电势差与下列哪个参数无关？
- 超晶格结构通常以（ ）为基本结构单元。
有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是4Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是5Å，其带隙有可能是___ __eV。
- 以下哪个参数无法通过霍尔测量测得？
A:错 B:对
答案:错
A:对 B:错
答案:对
A:对 B:错
AI参考:正确答案是B：错。激光器工作的两个基本条件是谐振腔和粒子数反转，但集居数反转不是必需的。所以，题目中的说法是错误的。'
A:对 B:错
AI参考:答案是B：错。EUV光源能量更小并不是其主要优势，主要优势在于EUV光源能够产生波长为13.5nm的极紫外光，因此EUV光刻机可以制造出更小的芯片尺寸，制造出更高集成度的芯片。而由于目前的技术限制，半导体制造工艺并不仅仅受制于EUV光刻机，还需要考虑其他许多因素，如材料、设备、工艺流程等。因此，这个说法是错误的。'
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
答案:错
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
AI参考:答案：B。根据题意，型半导体中既有电子也有空穴，因此该判断题是正确的，选项B为正确答案。'
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
AI参考:答案：B解释：溅射法是镀金属常用的方法之一，因为溅射法具有原子发射率高、蒸发速率快、材料利用率高等优点。热蒸镀法也是镀金属的一种常用方法，通常用于一些对镀层质量要求较高的场合。因此，选项A错误，选项B正确。'
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
AI参考:答案是B:错。我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机，但提高光刻最小线宽还可以通过其他技术手段实现，如改进光刻机的光源、优化光学系统、提高曝光能量等。同时，提升介质的介电常数也可以在一定程度上改善光刻效果，但并不是唯一的解决方案。因此，该判断题是错误的。'
A:对 B:错
A:对 B:错
AI参考:这道题是关于晶体结构的，特别是晶面族的知识。晶面族是一个晶体的结构单元，由一系列平行的晶面组成。在这个问题中，题目描述的是一个晶面族不包含晶面（1-1-1）。晶面的方向和间距是由其与(1 0 0)晶轴、(0 1 0)晶轴以及(0 0 1)晶轴的关系确定的。在晶面族中，晶面的位置由其在三个晶轴上的截距决定。因此，（1-1-1）这样的晶面编号表示的晶面是垂直于一个或多个晶轴的方向，同时没有符合给定晶面族的特征。所以，这个晶面并不属于给定的晶面族。因此，答案是B：错。'
A:对 B:错
A:光刻 B:CVD C:腐蚀 D:离子注入
A:p型 B:本征 C:其余选项都不是 D:n型
AI参考:正确选项是【B:本征】半导体。解析：本题中，给出的能带结构显示的是半导体的能带结构，没有掺杂，没有自由电子和空穴，属于本征半导体。同时，图中两个导带和价带在中间有重叠的部分，表明该半导体是直接带隙半导体。因此，选项B为本征半导体是正确的答案。选项A是空穴浓度低于本底浓度的情况，不是本征半导体；选项C则完全不符合题意；选项D虽然自由电子浓度高于本底浓度，但图中没有给出自由电子的数量，无法判断是哪种类型的半导体。'
A:12 nm B:7 nm C:18 nm D:20 nm
A:导带电子浓度增加 B:价带空穴浓度增加 C:导带有效态密度Nc增加 D:导带有效态密度Nc减少
A:花岗岩 B:多晶硅 C:石灰岩 D:石英砂
A:集电极到基极 B:集电极到发射极 C:以上都不是 D:基极到发射极
AI参考:答案：D解析：当一个PNP型BJT工作在电流放大模式下时，其基极的PN结上的电压方向是反向偏置的，即基极到发射极。同时，此时集电极和发射极的PN结是正向偏置的。因此，正确答案为D：基极到发射极。'
A:MOCVD B:MBE C:PECVD D:LPCVD
AI参考:一般情况下，沉积方式中腔体气压最低的是选项D:LPCVD。LPCVD（低压化学气相沉积）是一种制备薄膜的工艺方法，其工作气压较低，通常在10～50Pa范围内，因此腔体气压最低。其他选项中，MOCVD（金属有机物化学气相沉积）、MBE（分子束外延）和PECVD（脉冲电场增强化学气相沉积）都是在高真空度环境下进行的，气压通常在10～5Pa范围内。因此，在沉积方式中，腔体气压最低的是LPCVD。'
A:7 nm B:5 nm C:28 nm D:14 nm
AI参考:正确答案是C：28 nm。中芯国际集成电路制造有限公司在2019年底成功制造出28nm制程的芯片并实现量产。'
A:石英砂 B:冶金级硅晶体 C:晶锭 D:电子级硅晶体
A:系统 B:组装 C:集成电路设计 D:代工
A:以上都不可能 B:1.0 C:1.2 D:2.1
A:栅极长度 B:以上都不是 C:栅极宽度 D:漏极宽度
AI参考:正确选项是【C:栅极宽度】。原文中提到的是“14nm工艺线”，通常是指芯片制造中半导体工艺的线宽达到了14nm量级，而在选项中，只有栅极宽度与此有关。因此，C选项“栅极宽度”是正确答案。'
A:蓝宝石 B:硅基 C:氦氖 D:红宝石
A: B: C: D:
AI参考:正确答案是【D: 栅极电压V<阈值电压VT时，FET的沟道处于截止状态】。FET（场效应晶体管）的截止状态是指栅极电压V小于阈值电压VT时，沟道不导通。阈值电压VT是由耗尽层电荷量和少子浓度共同决定的阈值电压，决定于少子的类型。在反向偏置的栅极电压下，多数载流子不能进入沟道，仅在少数载流子浓度较高时才能形成沟道。因此，当栅极电压小于阈值电压时，FET的沟道处于截止状态。'
A:pn结 B:发光二极管 C:光探测器 D:太阳能电池
A:λ/2 B:λ/4 C:λ D:λ/3
A:p区空穴浓度 B:温度 C:载流子迁移率 D:n区电子浓度
A:场效应晶体管 B:异质结 C:欧姆接触 D:pn结
A:1.2 B:1 C:2.1 D:其余选项都不是
A:载流子浓度 B:载流子迁移率 C:半导体禁带宽度 D:载流子类型
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