第五章单元测试
- 以下说法正确吗。
Q1：MacEtch方法是否适用于不同的晶体材料？非晶材料呢？
A1：之前在PPT中讲到过MacEtch方法适用于不用类型的材料，第二个部分是晶体材料，有着单晶材料例如单晶硅，聚合晶体材料和一些非晶材料。对非晶材料我们不能说是通用的，但是它确实适用于很多非晶导体。我们唯一需要去做的是找到与之相应的正确的金属、方法。你可以决定在哪一块区域用金属进行刻蚀。对于晶体的话我们已经证实了是可以全部适用的MacEtch方法的。（ ） - 以下说法正确吗。
Q2：使用金属作为各向异性蚀刻的催化剂，获得的纳米结构具有相当大的深宽比。整个蚀刻过程是一次完成，还是可以进行多次刻蚀叠加？ 是不是可以牺牲刻蚀纳米结构壁的平坦度，来增加蚀刻的次数，从而获得更高深宽比的纳米结构？
A2：在这个报告里呈现的纳米结构都是一次成型的，也可以再把样品放到溶液进行多次可以。因为MacEtch只发生才有金属的地方，也就是刻蚀结构的底部，已经获得的纳米 结构不会被刻蚀掉。（ ） - 以下说法正确吗。
Q3：MacEtch 是一种很有吸引力的纳米加工技术，灵活可控，而且结构多样，那么有没有具体应用的实际例子呢？
A3：事实上获得所有高深宽比的纳米结构，都可以用来制造性能更优异的纳米器件，可惜现在还没有商用的器件，不过我们最近有一个这样的项目。（ ） - 以下说法正确吗。
Q4：MacEtch技术在刻蚀Si和GaN 的纳米结构的应用上， 能达到的最小的横向分辨率分别是多少？
A4：我们可以用光刻（optical lithography），电子束光刻（EBL，e-beam lithography）甚至可以用扫描透射电子显微术（STEM， scanning transmission electron microscope）来沉积单个原子或者原子线图形，我们也在探索，我们最小能做到什么尺寸。当前的话，最小的结构是利用EBL沉积金属图案获得的5 nm的纳米结构。（ ）
A:错 B:对
答案:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
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