第三章单元测试
- 对于纯金属来说，实际冷却曲线上的水平台就是该金属的理论结晶温度。（ ）
- 纯金属凝固时，当形成的晶胚半径等于临界晶核半径时，体系的自由能变化为（ ）。
- 某纯金属结晶时的临界形核功为△G*，其临界晶核表面能为△G，则△G*和△G 的关系为（ ）。
- 纯金属结晶时，形核和晶核长大都需要过冷，过冷度增大通常使临界晶核半径、临界形核功减小，形核过程容易，形核率增加，晶粒细化。（ ）
- 关于纯金属凝固过程中的非均匀形核，下列描述正确的是：（ ）。
- 纯金属结晶过程中，影响晶核形成和成长速率的因素是（ ）。
- 非金属、亚金属或化合物等材料的晶体主要是以（ ）的方式长大。
- 晶体的固-液界面分为光滑界面和粗糙界面，按照长大速度由慢到快，其长大方式依次为晶体缺陷长大、二维晶核长大和垂直长大。（ ）
- 纯金属铸锭凝固时，如果绝大部分结晶潜热是通过固相散出，那么固-液界面一般以（ ）向前推进。
- 对于小型或薄壁的铸件，可以采用下列方法细化晶粒：（ ）。
A:错 B:对
答案:错
A:无法判断
B:等于零
C:大于零
D:小于零
A:△G=△G*
B:△G=3△G*
C:△G=2/3△G*
D:△G=1/3△G*
A:错 B:对
A:形状因子f(θ)的大小影响形核的难易程度
B:晶胚和基底之间的晶体结构越接近，越易形核
C:晶胚与基底之间的界面张力越小，越有利于形核
D:相同的曲率半径和润湿角时，凸曲面上容易形核，凹曲面上不易形核
A:过热度
B:过热度和未溶杂质
C:过冷度和未溶杂质
D:未溶杂质
A:螺型位错长大机制
B:垂直长大机制
C:二维晶核长大机制
D:刃型位错长大机制
A:对 B:错
A:平面状和树枝状的混合形态
B:平面状
C:树枝状
D:平面状或树枝状
A:低温慢速浇注
B:变质处理
C:采用导热性好的金属模具
D:在凝固过程中实施机械振动
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